მეხსიერება

MT29F128G08CBCEBL05B3WC1

MT29F128G08CBCEBL05B3WC1

ნაწილი საფონდო: 78

სასურველი
MT29F4G16ABBDAHC:D

MT29F4G16ABBDAHC:D

ნაწილი საფონდო: 242

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16),

სასურველი
N25Q128A11EV740

N25Q128A11EV740

ნაწილი საფონდო: 8402

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (32M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT29F128G08CBEBBL85C3WC1

MT29F128G08CBEBBL85C3WC1

ნაწილი საფონდო: 3422

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი
MT25QL128ABA1EW9-0SIT

MT25QL128ABA1EW9-0SIT

ნაწილი საფონდო: 37092

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
N25Q128A13E1241F TR

N25Q128A13E1241F TR

ნაწილი საფონდო: 32837

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (32M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT49H16M36SJ-18:B

MT49H16M36SJ-18:B

ნაწილი საფონდო: 1405

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (16M x 36), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT53B256M32D1NP-053 WT:C

MT53B256M32D1NP-053 WT:C

ნაწილი საფონდო: 125

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT29F128G08AKEDBJ5-12:D

MT29F128G08AKEDBJ5-12:D

ნაწილი საფონდო: 3349

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი
MT25TL512BAA1ESF-0AAT

MT25TL512BAA1ESF-0AAT

ნაწილი საფონდო: 7035

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT29F64G08CBABAWP:B TR

MT29F64G08CBABAWP:B TR

ნაწილი საფონდო: 8853

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8),

სასურველი
MT28GU512AAA2EGC-0AAT

MT28GU512AAA2EGC-0AAT

ნაწილი საფონდო: 5796

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
N25Q064A13ESFH0F TR

N25Q064A13ESFH0F TR

ნაწილი საფონდო: 5984

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (16M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
M25PE10-VD11

M25PE10-VD11

ნაწილი საფონდო: 8451

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), საათის სიხშირე: 75MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ms, 5ms,

სასურველი
EDFP112A3PB-JD-F-R

EDFP112A3PB-JD-F-R

ნაწილი საფონდო: 6374

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 24Gb (192M x 128), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
EDFP112A3PB-JD-F-D TR

EDFP112A3PB-JD-F-D TR

ნაწილი საფონდო: 6383

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 24Gb (192M x 128), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT28EW128ABA1LPC-1SIT

MT28EW128ABA1LPC-1SIT

ნაწილი საფონდო: 28269

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8, 8M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
M25PX80-VMP6TG0X TR

M25PX80-VMP6TG0X TR

ნაწილი საფონდო: 5047

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8), საათის სიხშირე: 75MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ms, 5ms,

სასურველი
MT29F2G08ABAEAH4-E:E

MT29F2G08ABAEAH4-E:E

ნაწილი საფონდო: 1393

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8),

სასურველი
MT29F512G08EKCBBJ5-6:B

MT29F512G08EKCBBJ5-6:B

ნაწილი საფონდო: 6616

სასურველი
M25PX80-VMN6TPZ1 TR

M25PX80-VMN6TPZ1 TR

ნაწილი საფონდო: 8612

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8), საათის სიხშირე: 75MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ms, 5ms,

სასურველი
MT41K1G16DGA-125:A

MT41K1G16DGA-125:A

ნაწილი საფონდო: 1808

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 16Gb (1G x 16), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MTFC4GACAAAM-1M WT

MTFC4GACAAAM-1M WT

ნაწილი საფონდო: 8348

სასურველი
N25Q064A13ESED0F TR

N25Q064A13ESED0F TR

ნაწილი საფონდო: 48115

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (16M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT25QU128ABA1ESE-0SIT

MT25QU128ABA1ESE-0SIT

ნაწილი საფონდო: 39573

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
N25Q064A13E14D1E

N25Q064A13E14D1E

ნაწილი საფონდო: 9032

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (16M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
M25PX80-VMP6TG0C TR

M25PX80-VMP6TG0C TR

ნაწილი საფონდო: 5065

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8), საათის სიხშირე: 75MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ms, 5ms,

სასურველი
M25P40-VMP6TGB0A TR

M25P40-VMP6TGB0A TR

ნაწილი საფონდო: 5090

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), საათის სიხშირე: 75MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ms, 5ms,

სასურველი
N25Q016A11EF640F TR

N25Q016A11EF640F TR

ნაწილი საფონდო: 8675

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 1ms,

სასურველი
M58BW16FB5ZA3F TR

M58BW16FB5ZA3F TR

ნაწილი საფონდო: 9689

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 16Mb (512K x 32), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
N25Q128A13EW7DFE

N25Q128A13EW7DFE

ნაწილი საფონდო: 8434

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (32M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
N25Q032A13ESEC0E

N25Q032A13ESEC0E

ნაწილი საფონდო: 9947

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (8M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT28GU512AAA1EGC-0SIT

MT28GU512AAA1EGC-0SIT

ნაწილი საფონდო: 6564

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
MT49H16M36SJ-25 IT:B TR

MT49H16M36SJ-25 IT:B TR

ნაწილი საფონდო: 1501

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (16M x 36), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
N25Q064A13EF8A0F TR

N25Q064A13EF8A0F TR

ნაწილი საფონდო: 36748

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (16M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B

MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B

ნაწილი საფონდო: 3211

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი