მეხსიერება

MT25QU01GBBB8E12-0SIT

MT25QU01GBBB8E12-0SIT

ნაწილი საფონდო: 6981

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 166MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT29F2G08ABBFAH4:F

MT29F2G08ABBFAH4:F

ნაწილი საფონდო: 1497

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8),

სასურველი
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B

MT29F512G08EMCBBJ5-10:B

ნაწილი საფონდო: 6551

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
M25P20-AV3D11

M25P20-AV3D11

ნაწილი საფონდო: 74806

სასურველი
MT42L128M32D1U80MWC2

MT42L128M32D1U80MWC2

ნაწილი საფონდო: 3243

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 4Gb (128M x 32),

სასურველი
MT29F2T08CVCCBG6-6C:C

MT29F2T08CVCCBG6-6C:C

ნაწილი საფონდო: 3144

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Tb (256G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MT29F4G08ABAEAH4-IT:E TR

MT29F4G08ABAEAH4-IT:E TR

ნაწილი საფონდო: 5758

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8),

სასურველი
N25Q008A11ESC40FS03 TR

N25Q008A11ESC40FS03 TR

ნაწილი საფონდო: 9949

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR

MT40A1G8WE-083E AUT:B TR

ნაწილი საფონდო: 2658

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (1G x 8), საათის სიხშირე: 1.2GHz,

სასურველი
JS28F512M29EBHB TR

JS28F512M29EBHB TR

ნაწილი საფონდო: 548

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 110ns,

სასურველი
MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C

MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C

ნაწილი საფონდო: 477

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MT41K1G16DGA-125:A TR

MT41K1G16DGA-125:A TR

ნაწილი საფონდო: 6301

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 16Gb (1G x 16), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT41K512M8DA-107 AIT:P

MT41K512M8DA-107 AIT:P

ნაწილი საფონდო: 4584

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT29F8G08ABBCAH4-IT:C

MT29F8G08ABBCAH4-IT:C

ნაწილი საფონდო: 8540

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 8Gb (1G x 8),

სასურველი
MT42L64M32D1TK-18 AAT:C

MT42L64M32D1TK-18 AAT:C

ნაწილი საფონდო: 6744

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 2Gb (64M x 32), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
RC28F640J3F75B TR

RC28F640J3F75B TR

ნაწილი საფონდო: 20908

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (8M x 8, 4M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 75ns,

სასურველი
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B

MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B

ნაწილი საფონდო: 6401

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT29F1T08CUCBBH8-6C:B

MT29F1T08CUCBBH8-6C:B

ნაწილი საფონდო: 3511

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MT29F8G08ABACAWP:C TR

MT29F8G08ABACAWP:C TR

ნაწილი საფონდო: 10403

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 8Gb (1G x 8),

სასურველი
MT28GU512AAA2EGC-0SIT

MT28GU512AAA2EGC-0SIT

ნაწილი საფონდო: 9042

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
MT40A1G8WE-075E AIT:B TR

MT40A1G8WE-075E AIT:B TR

ნაწილი საფონდო: 2809

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (1G x 8), საათის სიხშირე: 1.33GHz,

სასურველი
MT35XU01GBBA1G12-0SIT TR

MT35XU01GBBA1G12-0SIT TR

ნაწილი საფონდო: 497

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz,

სასურველი
MT28EW01GABA1LJS-0SIT

MT28EW01GABA1LJS-0SIT

ნაწილი საფონდო: 10144

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8, 64M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
MTFC8GLWDM-3L AAT Z TR

MTFC8GLWDM-3L AAT Z TR

ნაწილი საფონდო: 4108

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8),

სასურველი
MT49H32M18SJ-18:B

MT49H32M18SJ-18:B

ნაწილი საფონდო: 1462

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (32M x 18), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
N25Q032A13E1240F TR

N25Q032A13E1240F TR

ნაწილი საფონდო: 56861

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (8M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT29F1T08CPCCBH8-6C:C

MT29F1T08CPCCBH8-6C:C

ნაწილი საფონდო: 3460

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MT25QL256ABA1EW9-0SIT

MT25QL256ABA1EW9-0SIT

ნაწილი საფონდო: 27051

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-R

MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-R

ნაწილი საფონდო: 3196

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8),

სასურველი
N25Q032A11EF640F TR

N25Q032A11EF640F TR

ნაწილი საფონდო: 58419

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (8M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT40A2G4WE-083E:B

MT40A2G4WE-083E:B

ნაწილი საფონდო: 104

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (2G x 4), საათის სიხშირე: 1.2GHz,

სასურველი
MT40A1G8WE-083E:B TR

MT40A1G8WE-083E:B TR

ნაწილი საფონდო: 4823

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (1G x 8), საათის სიხშირე: 1.2GHz,

სასურველი
MT53B256M32D1PX-062 XT:C TR

MT53B256M32D1PX-062 XT:C TR

ნაწილი საფონდო: 48

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT49H16M18SJ-25 IT:B

MT49H16M18SJ-25 IT:B

ნაწილი საფონდო: 2496

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 288Mb (16M x 18), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
M25P40-VMP6TGB0D TR

M25P40-VMP6TGB0D TR

ნაწილი საფონდო: 8586

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), საათის სიხშირე: 75MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ms, 5ms,

სასურველი
MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R

MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R

ნაწილი საფონდო: 60

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი