მეხსიერება

N25Q032A11EF440F TR

N25Q032A11EF440F TR

ნაწილი საფონდო: 8599

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (8M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
M25PX80-VMP6TGY0 TR

M25PX80-VMP6TGY0 TR

ნაწილი საფონდო: 5188

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8), საათის სიხშირე: 75MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ms, 5ms,

სასურველი
EDFP112A3PB-GD-F-R TR

EDFP112A3PB-GD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 6340

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 24Gb (192M x 128), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT28GU256AAA2EGC-0SIT TR

MT28GU256AAA2EGC-0SIT TR

ნაწილი საფონდო: 11340

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
MT41K2G8KJR-125:A TR

MT41K2G8KJR-125:A TR

ნაწილი საფონდო: 4883

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 16Gb (2G x 8), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT42L384M32D3LP-25 WT:A

MT42L384M32D3LP-25 WT:A

ნაწილი საფონდო: 3274

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 12Gb (384M x 32), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
M28W320HCB70D11

M28W320HCB70D11

ნაწილი საფონდო: 25125

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (2M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MTFC4GACAAAM-4M IT

MTFC4GACAAAM-4M IT

ნაწილი საფონდო: 7243

სასურველი
MT49H16M36SJ-25:B

MT49H16M36SJ-25:B

ნაწილი საფონდო: 1632

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (16M x 36), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
N25Q064A13EW7DFF

N25Q064A13EW7DFF

ნაწილი საფონდო: 8425

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (16M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT41K2G8KJR-125:A

MT41K2G8KJR-125:A

ნაწილი საფონდო: 9549

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 16Gb (2G x 8), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
EDFP112A3PB-JD-F-D

EDFP112A3PB-JD-F-D

ნაწილი საფონდო: 6367

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 24Gb (192M x 128), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT40A1G4RH-075E:B TR

MT40A1G4RH-075E:B TR

ნაწილი საფონდო: 5196

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 4Gb (1G x 4), საათის სიხშირე: 1.33GHz,

სასურველი
MT28EW128ABA1LPN-0SIT

MT28EW128ABA1LPN-0SIT

ნაწილი საფონდო: 34897

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8, 8M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
MT42L64M32D1TK-18 IT:C

MT42L64M32D1TK-18 IT:C

ნაწილი საფონდო: 6678

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 2Gb (64M x 32), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT49H16M36SJ-25 IT:B

MT49H16M36SJ-25 IT:B

ნაწილი საფონდო: 1442

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (16M x 36), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MTFC4GACAANA-4M IT

MTFC4GACAANA-4M IT

ნაწილი საფონდო: 7119

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 32Gb (4G x 8),

სასურველი
MT29F8G08ADADAH4-E:D

MT29F8G08ADADAH4-E:D

ნაწილი საფონდო: 1483

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 8Gb (1G x 8),

სასურველი
MT40A512M16JY-062E IT:B TR

MT40A512M16JY-062E IT:B TR

ნაწილი საფონდო: 56

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (512M x 16), საათის სიხშირე: 1.6GHz,

სასურველი
M25PX80-VMP6TG0M TR

M25PX80-VMP6TG0M TR

ნაწილი საფონდო: 5160

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8), საათის სიხშირე: 75MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ms, 5ms,

სასურველი
MT42L64M64D2LL-18 IT:C

MT42L64M64D2LL-18 IT:C

ნაწილი საფონდო: 6779

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 4Gb (64M x 64), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
N25Q128A13ESF40F TR

N25Q128A13ESF40F TR

ნაწილი საფონდო: 32344

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (32M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT28GU256AAA1EGC-0SIT TR

MT28GU256AAA1EGC-0SIT TR

ნაწილი საფონდო: 11348

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R

MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R

ნაწილი საფონდო: 3263

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი
MT49H32M18SJ-18:B TR

MT49H32M18SJ-18:B TR

ნაწილი საფონდო: 1386

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (32M x 18), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR

MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR

ნაწილი საფონდო: 913

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8),

სასურველი
MT29F512G08CKCBBH7-6ITC:B

MT29F512G08CKCBBH7-6ITC:B

ნაწილი საფონდო: 9401

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
MT29F256G08CMCDBJ5-6ITR:D

MT29F256G08CMCDBJ5-6ITR:D

ნაწილი საფონდო: 3157

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MT28EW128ABA1HPN-0SIT

MT28EW128ABA1HPN-0SIT

ნაწილი საფონდო: 34942

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8, 8M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT TR

MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT TR

ნაწილი საფონდო: 6277

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, RAM, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDRAM), საათის სიხშირე: 208MHz,

სასურველი
MT29F128G08CBCCBH6-6R:C

MT29F128G08CBCCBH6-6R:C

ნაწილი საფონდო: 4135

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
MT47H128M16RT-25E:C

MT47H128M16RT-25E:C

ნაწილი საფონდო: 4170

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 2Gb (128M x 16), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
M25P32-VMW3GB TR

M25P32-VMW3GB TR

ნაწილი საფონდო: 6836

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8), საათის სიხშირე: 75MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ms, 5ms,

სასურველი
N25Q064A13EW7DFE

N25Q064A13EW7DFE

ნაწილი საფონდო: 9015

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (16M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT29F256G08CECCBH6-6C:C

MT29F256G08CECCBH6-6C:C

ნაწილი საფონდო: 3107

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
N25Q064A11ESE40F TR

N25Q064A11ESE40F TR

ნაწილი საფონდო: 48129

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (16M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი