მეხსიერება

N25Q064A13EW7D0F TR

N25Q064A13EW7D0F TR

ნაწილი საფონდო: 8589

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (16M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B

MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B

ნაწილი საფონდო: 6455

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT47H256M8EB-25E IT:C TR

MT47H256M8EB-25E IT:C TR

ნაწილი საფონდო: 3850

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT29F128G08EBCBBJ4-6:B

MT29F128G08EBCBBJ4-6:B

ნაწილი საფონდო: 9721

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
M25PX80-VMP6TGAA TR

M25PX80-VMP6TGAA TR

ნაწილი საფონდო: 5025

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8), საათის სიხშირე: 75MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ms, 5ms,

სასურველი
M58BW32FT4D150

M58BW32FT4D150

ნაწილი საფონდო: 926

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
MT42L32M16D1FE-25 IT:A

MT42L32M16D1FE-25 IT:A

ნაწილი საფონდო: 6705

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
M58WR032KU70D16 TR

M58WR032KU70D16 TR

ნაწილი საფონდო: 9885

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (2M x 16), საათის სიხშირე: 66MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT

MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT

ნაწილი საფონდო: 9704

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, RAM, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDRAM), საათის სიხშირე: 208MHz,

სასურველი
N25Q064A13EF8H0F TR

N25Q064A13EF8H0F TR

ნაწილი საფონდო: 5954

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (16M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT28EW128ABA1HPC-1SIT

MT28EW128ABA1HPC-1SIT

ნაწილი საფონდო: 28253

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8, 8M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
JS28F00AM29EBHB TR

JS28F00AM29EBHB TR

ნაწილი საფონდო: 123

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8, 64M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 110ns,

სასურველი
M28W640HST70ZA6F TR

M28W640HST70ZA6F TR

ნაწილი საფონდო: 4630

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT29F128G08EBEBBB95A3WC1

MT29F128G08EBEBBB95A3WC1

ნაწილი საფონდო: 6527

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი
M25PX80-VMP6TG0U TR

M25PX80-VMP6TG0U TR

ნაწილი საფონდო: 5142

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8), საათის სიხშირე: 75MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ms, 5ms,

სასურველი
N25Q032A13ESE40F TR

N25Q032A13ESE40F TR

ნაწილი საფონდო: 54722

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (8M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT29F4G08ABBDAHC:D

MT29F4G08ABBDAHC:D

ნაწილი საფონდო: 1465

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8),

სასურველი
N25Q064A13ESF42EE01

N25Q064A13ESF42EE01

ნაწილი საფონდო: 5113

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (16M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
M25P10-V6D11

M25P10-V6D11

ნაწილი საფონდო: 8413

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), საათის სიხშირე: 50MHz,

სასურველი
MT28EW01GABA1HPC-0SIT

MT28EW01GABA1HPC-0SIT

ნაწილი საფონდო: 10592

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8, 64M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
MT42L32M16D1U67MWC1

MT42L32M16D1U67MWC1

ნაწილი საფონდო: 9643

სასურველი
M29F160FB5KN3E2 TR

M29F160FB5KN3E2 TR

ნაწილი საფონდო: 9739

სასურველი
PC28F512P30EFB

PC28F512P30EFB

ნაწილი საფონდო: 6832

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
EDFP112A3PB-GD-F-R

EDFP112A3PB-GD-F-R

ნაწილი საფონდო: 9706

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 24Gb (192M x 128), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR

MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR

ნაწილი საფონდო: 33

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
N25Q064A11E5340F TR

N25Q064A11E5340F TR

ნაწილი საფონდო: 51704

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (16M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
RC28F256J3F95G

RC28F256J3F95G

ნაწილი საფონდო: 5000

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 95ns,

სასურველი
MT28EW512ABA1HJS-0AAT TR

MT28EW512ABA1HJS-0AAT TR

ნაწილი საფონდო: 8171

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
MT29F1T08CPCBBH8-6C:B

MT29F1T08CPCBBH8-6C:B

ნაწილი საფონდო: 3474

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MT40A2G4SA-075:E

MT40A2G4SA-075:E

ნაწილი საფონდო: 45

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (2G x 4), საათის სიხშირე: 1.33GHz,

სასურველი
N25Q064A13EV741

N25Q064A13EV741

ნაწილი საფონდო: 8455

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (16M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT47H256M8EB-3:C TR

MT47H256M8EB-3:C TR

ნაწილი საფონდო: 4884

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), საათის სიხშირე: 333MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT28EW512ABA1LJS-0SIT

MT28EW512ABA1LJS-0SIT

ნაწილი საფონდო: 14332

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
MT49H8M36SJ-25E:B

MT49H8M36SJ-25E:B

ნაწილი საფონდო: 2807

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 288Mb (8M x 36), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MT49H64M9SJ-25E:B TR

MT49H64M9SJ-25E:B TR

ნაწილი საფონდო: 1674

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (64M x 9), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MTFC8GLWDM-3L AAT Z

MTFC8GLWDM-3L AAT Z

ნაწილი საფონდო: 42

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8),

სასურველი