მეხსიერება

MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR

MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR

ნაწილი საფონდო: 9118

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
N25Q032A11EF440E

N25Q032A11EF440E

ნაწილი საფონდო: 3857

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (8M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT29F32G08AFACAWP-IT:C TR

MT29F32G08AFACAWP-IT:C TR

ნაწილი საფონდო: 8892

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 32Gb (4G x 8),

სასურველი
EDF8132A3PB-GD-F-D

EDF8132A3PB-GD-F-D

ნაწილი საფონდო: 3241

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT29F64G08CECDBJ4-10:D

MT29F64G08CECDBJ4-10:D

ნაწილი საფონდო: 8964

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MT53B512M32D2GZ-062 WT:B TR

MT53B512M32D2GZ-062 WT:B TR

ნაწილი საფონდო: 9578

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR

MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 2168

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
EDF8132A3PD-GD-F-D

EDF8132A3PD-GD-F-D

ნაწილი საფონდო: 3189

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT52L256M64D2GN-107 WT:B TR

MT52L256M64D2GN-107 WT:B TR

ნაწილი საფონდო: 2492

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
EDFA112A2PD-JD-F-D

EDFA112A2PD-JD-F-D

ნაწილი საფონდო: 2549

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (128M x 128), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT53D384M64D4TZ-053 WT:C TR

MT53D384M64D4TZ-053 WT:C TR

ნაწილი საფონდო: 2261

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT42L128M32D1TK-25 IT:A TR

MT42L128M32D1TK-25 IT:A TR

ნაწილი საფონდო: 7576

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 4Gb (128M x 32), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR

MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 3734

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 384Gb (48G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT29F2T08CWCBBJ7-6R:B TR

MT29F2T08CWCBBJ7-6R:B TR

ნაწილი საფონდო: 6234

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Tb (256G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MT49H32M18CSJ-25E:B

MT49H32M18CSJ-25E:B

ნაწილი საფონდო: 1569

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (32M x 18), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR

EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 8848

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT29F3T08EQCBBG2-37:B TR

MT29F3T08EQCBBG2-37:B TR

ნაწილი საფონდო: 438

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 3Tb (384G x 8), საათის სიხშირე: 267MHz,

სასურველი
MT29F2G08ABBFAH4-IT:F TR

MT29F2G08ABBFAH4-IT:F TR

ნაწილი საფონდო: 6103

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8),

სასურველი
EDFA164A2PF-JD-F-D

EDFA164A2PF-JD-F-D

ნაწილი საფონდო: 2789

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
EDFA232A2PB-JD-F-R TR

EDFA232A2PB-JD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 9115

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
EDFA164A2MA-GD-F-R TR

EDFA164A2MA-GD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 246

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT40A512M8RH-062E:B TR

MT40A512M8RH-062E:B TR

ნაწილი საფონდო: 3876

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), საათის სიხშირე: 1.6GHz,

სასურველი
MT29F128G08CBECBH6-12:C

MT29F128G08CBECBH6-12:C

ნაწილი საფონდო: 4356

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR

MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR

ნაწილი საფონდო: 4397

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MT28HL16GJBA3ERK-0SCT

MT28HL16GJBA3ERK-0SCT

ნაწილი საფონდო: 4080

სასურველი
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E TR

MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E TR

ნაწილი საფონდო: 13121

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8),

სასურველი
MT35XL02GCBA1G12-0SIT TR

MT35XL02GCBA1G12-0SIT TR

ნაწილი საფონდო: 499

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
MT29F32G08ABAAAWP:A TR

MT29F32G08ABAAAWP:A TR

ნაწილი საფონდო: 9395

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 32Gb (4G x 8),

სასურველი
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR

MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR

ნაწილი საფონდო: 11430

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
N25Q064A13EW7D0E

N25Q064A13EW7D0E

ნაწილი საფონდო: 3899

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (16M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT29F256G08CJAABWP-12RZ:A TR

MT29F256G08CJAABWP-12RZ:A TR

ნაწილი საფონდო: 9405

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR

MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 2570

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 24Gb (768M x 32), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
EDFA164A2MA-JD-F-D

EDFA164A2MA-JD-F-D

ნაწილი საფონდო: 3786

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
EDW4032BABG-60-F-R TR

EDW4032BABG-60-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 7882

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: RAM, ტექნოლოგია: SGRAM - GDDR5, მეხსიერების ზომა: 4Gb (128M x 32), საათის სიხშირე: 1.5GHz,

სასურველი
MT29F256G08CKCABH2-10:A TR

MT29F256G08CKCABH2-10:A TR

ნაწილი საფონდო: 8070

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MT29F128G08CECGBJ4-5M:G

MT29F128G08CECGBJ4-5M:G

ნაწილი საფონდო: 5290

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი