მეხსიერება

N25Q032A13ESCA0F TR

N25Q032A13ESCA0F TR

ნაწილი საფონდო: 52039

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (8M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT49H8M36SJ-25:B

MT49H8M36SJ-25:B

ნაწილი საფონდო: 3240

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 288Mb (8M x 36), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MT25QU256ABA8ESF-0SIT

MT25QU256ABA8ESF-0SIT

ნაწილი საფონდო: 33430

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT41K2G4SN-125:A TR

MT41K2G4SN-125:A TR

ნაწილი საფონდო: 4965

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 8Gb (2G x 4), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT29F128G08CBCBBH6-6ITC:B

MT29F128G08CBCBBH6-6ITC:B

ნაწილი საფონდო: 8972

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
JS28F256P30T2E

JS28F256P30T2E

ნაწილი საფონდო: 17181

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 40MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 110ns,

სასურველი
MT41K512M8DA-107 XIT:P

MT41K512M8DA-107 XIT:P

ნაწილი საფონდო: 4972

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT47H32M16NF-187E:H TR

MT47H32M16NF-187E:H TR

ნაწილი საფონდო: 4992

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 533MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT29F1T08CUCBBH8-6ITR:B

MT29F1T08CUCBBH8-6ITR:B

ნაწილი საფონდო: 3519

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
RC28F256P30TFF TR

RC28F256P30TFF TR

ნაწილი საფონდო: 12544

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 52MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
MT42L128M32D1U80MWC1

MT42L128M32D1U80MWC1

ნაწილი საფონდო: 3237

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 4Gb (128M x 32),

სასურველი
MT49H16M18SJ-25 IT:B TR

MT49H16M18SJ-25 IT:B TR

ნაწილი საფონდო: 2495

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 288Mb (16M x 18), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MTFC8GACAANA-4M IT

MTFC8GACAANA-4M IT

ნაწილი საფონდო: 5132

სასურველი
MT28EW512ABA1HPC-1SIT

MT28EW512ABA1HPC-1SIT

ნაწილი საფონდო: 13511

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
N25Q128A13BSFH0F

N25Q128A13BSFH0F

ნაწილი საფონდო: 6958

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (32M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
N25Q032A13EV740

N25Q032A13EV740

ნაწილი საფონდო: 8409

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (8M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
N25Q032A13EV140

N25Q032A13EV140

ნაწილი საფონდო: 8462

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (8M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT42L128M64D2LN-18 WT:A

MT42L128M64D2LN-18 WT:A

ნაწილი საფონდო: 3272

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 8Gb (128M x 64), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT28GU01GAAA1EGC-0SIT

MT28GU01GAAA1EGC-0SIT

ნაწილი საფონდო: 5074

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
MT42L32M16D1U67MWC2

MT42L32M16D1U67MWC2

ნაწილი საფონდო: 6464

სასურველი
MTFC4GMDEA-4M IT TR

MTFC4GMDEA-4M IT TR

ნაწილი საფონდო: 6308

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 32Gb (4G x 8),

სასურველი
PN28F256M29EWHD

PN28F256M29EWHD

ნაწილი საფონდო: 20056

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
MT28GU256AAA2EGC-0SIT

MT28GU256AAA2EGC-0SIT

ნაწილი საფონდო: 10995

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q TR

MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q TR

ნაწილი საფონდო: 3990

სასურველი
MT40A512M16JY-083E AIT:B TR

MT40A512M16JY-083E AIT:B TR

ნაწილი საფონდო: 3086

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (512M x 16), საათის სიხშირე: 1.2GHz,

სასურველი
MT53B256M32D1NP-062 WT:C

MT53B256M32D1NP-062 WT:C

ნაწილი საფონდო: 94

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
N25Q064A13EW9D0F TR

N25Q064A13EW9D0F TR

ნაწილი საფონდო: 8662

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (16M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT25TL512HAA1ESF-0AAT

MT25TL512HAA1ESF-0AAT

ნაწილი საფონდო: 6948

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT29F1T08CQCCBG2-6C:C

MT29F1T08CQCCBG2-6C:C

ნაწილი საფონდო: 3559

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
N25Q128A11EF840F TR

N25Q128A11EF840F TR

ნაწილი საფონდო: 34560

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (32M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT25QL128ABA8ESF-0SIT

MT25QL128ABA8ESF-0SIT

ნაწილი საფონდო: 37045

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT29TZZZ8D5JKERL-107 W.95E

MT29TZZZ8D5JKERL-107 W.95E

ნაწილი საფონდო: 109

სასურველი
MT29F256G08CECBBH6-6R:B

MT29F256G08CECBBH6-6R:B

ნაწილი საფონდო: 2660

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
N25Q128A13ESFA0F TR

N25Q128A13ESFA0F TR

ნაწილი საფონდო: 23309

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (32M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT25TL512BAA1ESF-0AAT TR

MT25TL512BAA1ESF-0AAT TR

ნაწილი საფონდო: 6845

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT49H64M9SJ-25E:B

MT49H64M9SJ-25E:B

ნაწილი საფონდო: 1665

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (64M x 9), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი