რეზისტორული ქსელები, მასივები

CRB2A4E623JT

CRB2A4E623JT

ნაწილი საფონდო: 5032

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 62k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RNA4A8E271JT

RNA4A8E271JT

ნაწილი საფონდო: 5111

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
CRB2A4E221JT

CRB2A4E221JT

ნაწილი საფონდო: 5542

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი