ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 28nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 8nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 12.5nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 12.5nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 35.5nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 8nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 5.45nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 8.9nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.9A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 6.9nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.7A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Iron Powder, ინდუქცია: 3.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 182mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Iron Powder, ინდუქცია: 2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 494mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Iron Powder, ინდუქცია: 1.47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 694mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Iron Powder, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 815mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Iron Powder, ინდუქცია: 1.1µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 438mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Iron Powder, ინდუქცია: 700nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 619mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Iron Powder, ინდუქცია: 6µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 236mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Iron Powder, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Iron Powder, ინდუქცია: 2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 277mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Iron Powder, ინდუქცია: 11µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 115mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Iron Powder, ინდუქცია: 2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,
