ფიქსირებული ინდუქტორები

L06032R7DGWTR

L06032R7DGWTR

ნაწილი საფონდო: 177380

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,

სასურველი
HLQ021R8BTTR

HLQ021R8BTTR

ნაწილი საფონდო: 148959

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
HLQ02120HTTR

HLQ02120HTTR

ნაწილი საფონდო: 125759

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 110mA,

სასურველი
L06031R8CGWTR

L06031R8CGWTR

ნაწილი საფონდო: 158835

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
HLQ026R8HTTR

HLQ026R8HTTR

ნაწილი საფონდო: 153292

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
HLC025R6BTTR

HLC025R6BTTR

ნაწილი საფონდო: 181687

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 375mA,

სასურველი
L06038R2DGWTR

L06038R2DGWTR

ნაწილი საფონდო: 125247

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
HLQ02320HTTR

HLQ02320HTTR

ნაწილი საფონდო: 136311

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 32nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 85mA,

სასურველი
HLQ022R0BTTR

HLQ022R0BTTR

ნაწილი საფონდო: 185264

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 245mA,

სასურველი
HLQ02220HTTR

HLQ02220HTTR

ნაწილი საფონდო: 135358

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 95mA,

სასურველი
HLQ024R7BTTR

HLQ024R7BTTR

ნაწილი საფონდო: 120431

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 195mA,

სასურველი
L06031R5CGWTR

L06031R5CGWTR

ნაწილი საფონდო: 111262

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
HLQ02150HTTR

HLQ02150HTTR

ნაწილი საფონდო: 101297

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 110mA,

სასურველი
HLQ023R0BTTR

HLQ023R0BTTR

ნაწილი საფონდო: 168777

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 225mA,

სასურველი
HLQ023R9BTTR

HLQ023R9BTTR

ნაწილი საფონდო: 191051

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
L06034R7DGWTR

L06034R7DGWTR

ნაწილი საფონდო: 112156

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
HLQ02270HTTR

HLQ02270HTTR

ნაწილი საფონდო: 172116

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 95mA,

სასურველი
HLQ021R5BTTR

HLQ021R5BTTR

ნაწილი საფონდო: 150407

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA,

სასურველი
HLQ021R2BTTR

HLQ021R2BTTR

ნაწილი საფონდო: 181166

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA,

სასურველი
L06036R8DGWTR

L06036R8DGWTR

ნაწილი საფონდო: 159692

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
HLQ023R3BTTR

HLQ023R3BTTR

ნაწილი საფონდო: 156338

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 225mA,

სასურველი
HLQ023R6BTTR

HLQ023R6BTTR

ნაწილი საფონდო: 136428

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
HLQ02180HTTR

HLQ02180HTTR

ნაწილი საფონდო: 190401

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 110mA,

სასურველი
HLQ021R6BTTR

HLQ021R6BTTR

ნაწილი საფონდო: 179031

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
L04021R2BHNTR

L04021R2BHNTR

ნაწილი საფონდო: 198590

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
HL021R1BTTR

HL021R1BTTR

ნაწილი საფონდო: 156108

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 345mA,

სასურველი
L04021R8BHNTR

L04021R8BHNTR

ნაწილი საფონდო: 183954

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
HL021R3BTTR

HL021R3BTTR

ნაწილი საფონდო: 171142

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 342mA,

სასურველი
L04021R5BHNTR

L04021R5BHNTR

ნაწილი საფონდო: 160721

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
HL021R5BTTR

HL021R5BTTR

ნაწილი საფონდო: 102688

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 340mA,

სასურველი
HL023R0BTTR

HL023R0BTTR

ნაწილი საფონდო: 192213

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 324mA,

სასურველი
HL021R2BTTR

HL021R2BTTR

ნაწილი საფონდო: 169130

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 343mA,

სასურველი
HL022R7BTTR

HL022R7BTTR

ნაწილი საფონდო: 167936

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 327mA,

სასურველი
HL021R0BTTR

HL021R0BTTR

ნაწილი საფონდო: 157693

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 346mA,

სასურველი
HL021R8BTTR

HL021R8BTTR

ნაწილი საფონდო: 142513

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 337mA,

სასურველი
L06031R5DGWTR

L06031R5DGWTR

ნაწილი საფონდო: 172542

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი