ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 311mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 335mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.82nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 321mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 339mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 314mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 334mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 265mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 184mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 202mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 32nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 175mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.68nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.82nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 782mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.39nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 725mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 549mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.47nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 441mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.56nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 497mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 660mA,
