ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

CR10-1962F-T

CR10-1962F-T

ნაწილი საფონდო: 3572

წინააღმდეგობა: 19.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
RP43737R0100GTTR

RP43737R0100GTTR

ნაწილი საფონდო: 14943

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 150ppm/°C,

სასურველი
RP93737T0050GTTR

RP93737T0050GTTR

ნაწილი საფონდო: 15014

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RP43737R0050GTTR

RP43737R0050GTTR

ნაწილი საფონდო: 15028

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 150ppm/°C,

სასურველი
RP92525T0050GTTR

RP92525T0050GTTR

ნაწილი საფონდო: 26582

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RP93725T0050GTTR

RP93725T0050GTTR

ნაწილი საფონდო: 11367

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RP42525R0100GTTR

RP42525R0100GTTR

ნაწილი საფონდო: 26679

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 150ppm/°C,

სასურველი
RP52010R0200GTBK-50

RP52010R0200GTBK-50

ნაწილი საფონდო: 28241

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 150ppm/°C,

სასურველი
RP42525R0050GTTR

RP42525R0050GTTR

ნაწილი საფონდო: 27302

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 150ppm/°C,

სასურველი
RP42010R0025GTBK-50

RP42010R0025GTBK-50

ნაწილი საფონდო: 28160

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 150ppm/°C,

სასურველი
RP92010T0050GTTR

RP92010T0050GTTR

ნაწილი საფონდო: 50537

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი