ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±1%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.68nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±1%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.82nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე - სატურაცია: 5A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე - სატურაცია: 20A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე - სატურაცია: 10A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.7A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე - სატურაცია: 4.2A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.7A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.18A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე - სატურაცია: 3.5A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.6A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 190mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.4A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.9A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
