რეზისტორული ქსელები, მასივები

CRB2A4E620JT

CRB2A4E620JT

ნაწილი საფონდო: 5053

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 62, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E271JT

CRB3A4E271JT

ნაწილი საფონდო: 5123

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB1A2E123JT

CRB1A2E123JT

ნაწილი საფონდო: 4996

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RNA4A8E332JT

RNA4A8E332JT

ნაწილი საფონდო: 5146

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
CRB2A4E360JT

CRB2A4E360JT

ნაწილი საფონდო: 5016

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E5R1JT

CRB2A4E5R1JT

ნაწილი საფონდო: 5556

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E1001FT

CRB3A4E1001FT

ნაწილი საფონდო: 5121

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E102GT

CRB3A4E102GT

ნაწილი საფონდო: 5055

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E330JT

CRB2A4E330JT

ნაწილი საფონდო: 5554

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E152JT

CRB2A4E152JT

ნაწილი საფონდო: 5004

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E103JB

CRB3A4E103JB

ნაწილი საფონდო: 5041

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RNA4A8E472JB

RNA4A8E472JB

ნაწილი საფონდო: 5120

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RNA4A8E513JT

RNA4A8E513JT

ნაწილი საფონდო: 5133

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 51k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
CRB2A4E683JT

CRB2A4E683JT

ნაწილი საფონდო: 5030

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E270JT

CRC3A4E270JT

ნაწილი საფონდო: 5078

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E101JD

CRB3A4E101JD

ნაწილი საფონდო: 5066

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E151JT

CRC3A4E151JT

ნაწილი საფონდო: 5075

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB1A2E153JT

CRB1A2E153JT

ნაწილი საფონდო: 5070

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RNA4A8E471JT

RNA4A8E471JT

ნაწილი საფონდო: 5196

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RNA4A8E183JT

RNA4A8E183JT

ნაწილი საფონდო: 5128

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 18k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
RNA4A8E390JT

RNA4A8E390JT

ნაწილი საფონდო: 5148

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
CRC3A4E104JT

CRC3A4E104JT

ნაწილი საფონდო: 5143

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RNA4A8E151JT

RNA4A8E151JT

ნაწილი საფონდო: 5169

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
CRB1A2E330JT

CRB1A2E330JT

ნაწილი საფონდო: 5003

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRB2A4E220JT

CRB2A4E220JT

ნაწილი საფონდო: 5015

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E183JT

CRB3A4E183JT

ნაწილი საფონდო: 5098

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E470JT

CRB2A4E470JT

ნაწილი საფონდო: 5517

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E563JT

CRB2A4E563JT

ნაწილი საფონდო: 5568

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E24R9FT

CRC3A4E24R9FT

ნაწილი საფონდო: 5164

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 24.9, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E683JT

CRB3A4E683JT

ნაწილი საფონდო: 5596

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E130JT

CRC3A4E130JT

ნაწილი საფონდო: 5097

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 13, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E684JT

CRB2A4E684JT

ნაწილი საფონდო: 5078

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RNA4A8E242JT

RNA4A8E242JT

ნაწილი საფონდო: 5109

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2.4k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
CRB3A4E301JT

CRB3A4E301JT

ნაწილი საფონდო: 5103

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E150JT

CRB2A4E150JT

ნაწილი საფონდო: 5037

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E430JT

CRB2A4E430JT

ნაწილი საფონდო: 5104

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი