რეზისტორული ქსელები, მასივები

CRB3A4E5R1JT

CRB3A4E5R1JT

ნაწილი საფონდო: 5096

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E202JT

CRB2A4E202JT

ნაწილი საფონდო: 5008

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E105JT

CRB3A4E105JT

ნაწილი საფონდო: 5107

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB1A2E472JT

CRB1A2E472JT

ნაწილი საფონდო: 4997

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRB2A4E101JT

CRB2A4E101JT

ნაწილი საფონდო: 5540

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E131JT

CRB3A4E131JT

ნაწილი საფონდო: 5099

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E560JB

CRB3A4E560JB

ნაწილი საფონდო: 5109

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RNA4A8E101JT

RNA4A8E101JT

ნაწილი საფონდო: 5098

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
CRB3A4E393JT

CRB3A4E393JT

ნაწილი საფონდო: 5096

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E511JT

CRB3A4E511JT

ნაწილი საფონდო: 5114

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RNA4A8E202JT

RNA4A8E202JT

ნაწილი საფონდო: 5117

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
CRB2A4E102JT

CRB2A4E102JT

ნაწილი საფონდო: 5082

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E241JT

CRB3A4E241JT

ნაწილი საფონდო: 5118

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 240, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E680JT

CRB3A4E680JT

ნაწილი საფონდო: 5145

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E822JT

CRC3A4E822JT

ნაწილი საფონდო: 5130

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E561JT

CRB3A4E561JT

ნაწილი საფონდო: 5080

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RNA4A8E331JT

RNA4A8E331JT

ნაწილი საფონდო: 5197

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
CRB3A4E184JT

CRB3A4E184JT

ნაწილი საფონდო: 5116

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E560JT

CRC3A4E560JT

ნაწილი საფონდო: 5132

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E513JT

CRB2A4E513JT

ნაწილი საფონდო: 5111

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RNA4A8E510JT

RNA4A8E510JT

ნაწილი საფონდო: 5135

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
CRB3A4E24R9FT

CRB3A4E24R9FT

ნაწილი საფონდო: 5095

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 24.9, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E563JT

CRC3A4E563JT

ნაწილი საფონდო: 5163

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RNA4A8E821JT

RNA4A8E821JT

ნაწილი საფონდო: 5186

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 820, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
CRC3A4E120JT

CRC3A4E120JT

ნაწილი საფონდო: 5115

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E84R5FT

CRC3A4E84R5FT

ნაწილი საფონდო: 5572

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 84.5, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E272JT

CRC3A4E272JT

ნაწილი საფონდო: 5125

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E302JT

CRB3A4E302JT

ნაწილი საფონდო: 5118

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E111JT

CRB2A4E111JT

ნაწილი საფონდო: 5026

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 110, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E33R2FT

CRC3A4E33R2FT

ნაწილი საფონდო: 5111

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33.2, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E334JT

CRC3A4E334JT

ნაწილი საფონდო: 5120

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E222JT

CRC3A4E222JT

ნაწილი საფონდო: 5110

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E10R0FT

CRC3A4E10R0FT

ნაწილი საფონდო: 5155

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E3R0JT

CRB2A4E3R0JT

ნაწილი საფონდო: 5595

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E682JT

CRB3A4E682JT

ნაწილი საფონდო: 5086

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E330JT

CRB3A4E330JT

ნაწილი საფონდო: 5062

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი