რეზისტორული ქსელები, მასივები

RNA4A8E222JT

RNA4A8E222JT

ნაწილი საფონდო: 5180

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
CRB3A4E753JT

CRB3A4E753JT

ნაწილი საფონდო: 5156

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E101JT

CRC3A4E101JT

ნაწილი საფონდო: 5123

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E331JT

CRC3A4E331JT

ნაწილი საფონდო: 5171

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E390JT

CRC3A4E390JT

ნაწილი საფონდო: 5118

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E152JT

CRB3A4E152JT

ნაწილი საფონდო: 5595

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E222JT

CRB3A4E222JT

ნაწილი საფონდო: 5121

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E510JT

CRC3A4E510JT

ნაწილი საფონდო: 5149

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RNA4A8E223JT

RNA4A8E223JT

ნაწილი საფონდო: 5166

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
CRC3A4E102JT

CRC3A4E102JT

ნაწილი საფონდო: 5128

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E272JT

CRB2A4E272JT

ნაწილი საფონდო: 5055

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E363JT

CRB3A4E363JT

ნაწილი საფონდო: 5541

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RNA4A8E682JT

RNA4A8E682JT

ნაწილი საფონდო: 5188

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
CRC3A4E512JT

CRC3A4E512JT

ნაწილი საფონდო: 5564

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB1A2E103JT

CRB1A2E103JT

ნაწილი საფონდო: 5027

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRB3A4E161JT

CRB3A4E161JT

ნაწილი საფონდო: 5048

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 160, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E222JT

CRB2A4E222JT

ნაწილი საფონდო: 5080

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E270JT

CRB2A4E270JT

ნაწილი საფონდო: 5090

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E272JT

CRB3A4E272JT

ნაწილი საფონდო: 5119

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E393JT

CRB2A4E393JT

ნაწილი საფონდო: 5021

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RNA4A8E130JT

RNA4A8E130JT

ნაწილი საფონდო: 5189

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 13, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
CRB3A4E111JT

CRB3A4E111JT

ნაწილი საფონდო: 5048

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 110, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E331JT

CRB2A4E331JT

ნაწილი საფონდო: 5059

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E472JT

CRC3A4E472JT

ნაწილი საფონდო: 5119

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E472JT

CRB2A4E472JT

ნაწილი საფონდო: 5038

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E241JT

CRB2A4E241JT

ნაწილი საფონდო: 5099

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 240, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E151GT

CRC3A4E151GT

ნაწილი საფონდო: 5086

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E223GT

CRB3A4E223GT

ნაწილი საფონდო: 5082

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RNA4A8E220JT

RNA4A8E220JT

ნაწილი საფონდო: 5137

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
CRB2A4E161GT

CRB2A4E161GT

ნაწილი საფონდო: 5053

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 160, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E101JT

CRB3A4E101JT

ნაწილი საფონდო: 5108

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E750JT

CRB3A4E750JT

ნაწილი საფონდო: 5096

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E203JT

CRC3A4E203JT

ნაწილი საფონდო: 5131

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E220JT

CRC3A4E220JT

ნაწილი საფონდო: 5071

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E431JT

CRB3A4E431JT

ნაწილი საფონდო: 5550

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 430, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E221JT

CRC3A4E221JT

ნაწილი საფონდო: 5080

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი