რეზისტორული ქსელები, მასივები

CRB3A4E390JT

CRB3A4E390JT

ნაწილი საფონდო: 5103

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E511JT

CRB2A4E511JT

ნაწილი საფონდო: 5059

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E431JT

CRC3A4E431JT

ნაწილი საფონდო: 5164

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 430, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E331JT

CRB3A4E331JT

ნაწილი საფონდო: 5084

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E182JT

CRB3A4E182JT

ნაწილი საფონდო: 5063

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E141JT

CRB2A4E141JT

ნაწილი საფონდო: 5048

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 140, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RNA4A8E330JT

RNA4A8E330JT

ნაწილი საფონდო: 5548

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
CRC3A4E121JT

CRC3A4E121JT

ნაწილი საფონდო: 5137

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E105JT

CRB2A4E105JT

ნაწილი საფონდო: 5508

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB1A2E512JT

CRB1A2E512JT

ნაწილი საფონდო: 5050

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRB3A4E471JT

CRB3A4E471JT

ნაწილი საფონდო: 5133

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E333GT

CRB3A4E333GT

ნაწილი საფონდო: 5557

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RNA4A8E104JT

RNA4A8E104JT

ნაწილი საფონდო: 5106

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
CRB1A2E304JT

CRB1A2E304JT

ნაწილი საფონდო: 5015

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRB2A4E560JT

CRB2A4E560JT

ნაწილი საფონდო: 5098

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RNA4A8E333JT

RNA4A8E333JT

ნაწილი საფონდო: 5164

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
CRB3A4E100JT

CRB3A4E100JT

ნაწილი საფონდო: 5084

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E301JT

CRB2A4E301JT

ნაწილი საფონდო: 5550

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E112JT

CRB3A4E112JT

ნაწილი საფონდო: 5589

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E240JT

CRB3A4E240JT

ნაწილი საფონდო: 5117

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 24, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E751JT

CRB2A4E751JT

ნაწილი საფონდო: 5121

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 750, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E820JT

CRC3A4E820JT

ნაწილი საფონდო: 5130

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E821JT

CRC3A4E821JT

ნაწილი საფონდო: 5099

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E471JT

CRC3A4E471JT

ნაწილი საფონდო: 5163

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E200JT

CRB2A4E200JT

ნაწილი საფონდო: 5097

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E470GT

CRB3A4E470GT

ნაწილი საფონდო: 5074

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E49R9FT

CRC3A4E49R9FT

ნაწილი საფონდო: 5085

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 49.9, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB2A4E512JT

CRB2A4E512JT

ნაწილი საფონდო: 5587

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRC3A4E103JT

CRC3A4E103JT

ნაწილი საფონდო: 5150

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB1A2E101JT

CRB1A2E101JT

ნაწილი საფონდო: 4991

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRB3A4E560JT

CRB3A4E560JT

ნაწილი საფონდო: 5076

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E360JT

CRB3A4E360JT

ნაწილი საფონდო: 5146

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRB3A4E433JT

CRB3A4E433JT

ნაწილი საფონდო: 5078

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
RNA4A8E122JT

RNA4A8E122JT

ნაწილი საფონდო: 5604

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
CRB1A2E394JT

CRB1A2E394JT

ნაწილი საფონდო: 5011

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRB2A4E750JT

CRB2A4E750JT

ნაწილი საფონდო: 5114

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი