ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A1212FBHF3

9T04021A1212FBHF3

ნაწილი საფონდო: 4180

წინააღმდეგობა: 12.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1182FBHF3

9T04021A1182FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1033

წინააღმდეგობა: 11.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1202FBHF3

9T04021A1202FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1022

წინააღმდეგობა: 12 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1072FBHF3

9T04021A1072FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1001

წინააღმდეგობა: 10.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1102FBHF3

9T04021A1102FBHF3

ნაწილი საფონდო: 987

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1132FBHF3

9T04021A1132FBHF3

ნაწილი საფონდო: 981

წინააღმდეგობა: 11.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1152FBHF3

9T04021A1152FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1003

წინააღმდეგობა: 11.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1002FBHF3

9T04021A1002FBHF3

ნაწილი საფონდო: 4166

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9761FBHF3

9T04021A9761FBHF3

ნაწილი საფონდო: 951

წინააღმდეგობა: 9.76 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1052FBHF3

9T04021A1052FBHF3

ნაწილი საფონდო: 965

წინააღმდეგობა: 10.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1022FBHF3

9T04021A1022FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1035

წინააღმდეგობა: 10.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9311FBHF3

9T04021A9311FBHF3

ნაწილი საფონდო: 951

წინააღმდეგობა: 9.31 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9101FBHF3

9T04021A9101FBHF3

ნაწილი საფონდო: 942

წინააღმდეგობა: 9.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8251FBHF3

9T04021A8251FBHF3

ნაწილი საფონდო: 988

წინააღმდეგობა: 8.25 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8451FBHF3

9T04021A8451FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1006

წინააღმდეგობა: 8.45 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8871FBHF3

9T04021A8871FBHF3

ნაწილი საფონდო: 985

წინააღმდეგობა: 8.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8061FBHF3

9T04021A8061FBHF3

ნაწილი საფონდო: 973

წინააღმდეგობა: 8.06 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7691FBHF3

9T04021A7691FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1008

წინააღმდეგობა: 7.69 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7871FBHF3

9T04021A7871FBHF3

ნაწილი საფონდო: 955

წინააღმდეგობა: 7.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8201FBHF3

9T04021A8201FBHF3

ნაწილი საფონდო: 977

წინააღმდეგობა: 8.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6981FBHF3

9T04021A6981FBHF3

ნაწილი საფონდო: 991

წინააღმდეგობა: 6.98 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7151FBHF3

9T04021A7151FBHF3

ნაწილი საფონდო: 989

წინააღმდეგობა: 7.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7501FBHF3

9T04021A7501FBHF3

ნაწილი საფონდო: 4169

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7321FBHF3

9T04021A7321FBHF3

ნაწილი საფონდო: 954

წინააღმდეგობა: 7.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6811FBHF3

9T04021A6811FBHF3

ნაწილი საფონდო: 932

წინააღმდეგობა: 6.81 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6491FBHF3

9T04021A6491FBHF3

ნაწილი საფონდო: 987

წინააღმდეგობა: 6.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6651FBHF3

9T04021A6651FBHF3

ნაწილი საფონდო: 982

წინააღმდეგობა: 6.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6041FBHF3

9T04021A6041FBHF3

ნაწილი საფონდო: 980

წინააღმდეგობა: 6.04 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6191FBHF3

9T04021A6191FBHF3

ნაწილი საფონდო: 959

წინააღმდეგობა: 6.19 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6341FBHF3

9T04021A6341FBHF3

ნაწილი საფონდო: 992

წინააღმდეგობა: 6.34 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6201FBHF3

9T04021A6201FBHF3

ნაწილი საფონდო: 965

წინააღმდეგობა: 6.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5621FBHF3

9T04021A5621FBHF3

ნაწილი საფონდო: 921

წინააღმდეგობა: 5.62 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5901FBHF3

9T04021A5901FBHF3

ნაწილი საფონდო: 962

წინააღმდეგობა: 5.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5601FBHF3

9T04021A5601FBHF3

ნაწილი საფონდო: 936

წინააღმდეგობა: 5.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5111FBHF3

9T04021A5111FBHF3

ნაწილი საფონდო: 935

წინააღმდეგობა: 5.11 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5361FBHF3

9T04021A5361FBHF3

ნაწილი საფონდო: 995

წინააღმდეგობა: 5.36 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი