ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

2350 545 04323

2350 545 04323

ნაწილი საფონდო: 789

წინააღმდეგობა: 43.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A10R5DAHF3

9T04021A10R5DAHF3

ნაწილი საფონდო: 4859

წინააღმდეგობა: 10.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A7321FBHFT

9T06031A7321FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4000

წინააღმდეგობა: 7.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T12062A97R6FBHFT

9T12062A97R6FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4062

წინააღმდეგობა: 97.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A1871DBHFT

9T06031A1871DBHFT

ნაწილი საფონდო: 4045

წინააღმდეგობა: 1.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3902DAHF3

9T04021A3902DAHF3

ნაწილი საფონდო: 4021

წინააღმდეგობა: 39 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A1203CBHFT

9T06031A1203CBHFT

ნაწილი საფონდო: 4003

წინააღმდეგობა: 120 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3000CBHFT

9T08052A3000CBHFT

ნაწილი საფონდო: 4008

წინააღმდეგობა: 300 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A2213CBHFT

9T08052A2213CBHFT

ნაწილი საფონდო: 4057

წინააღმდეგობა: 221 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A5600DBHFT

9T06031A5600DBHFT

ნაწილი საფონდო: 4069

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1331BBHFT

9T08052A1331BBHFT

ნაწილი საფონდო: 3991

წინააღმდეგობა: 1.33 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A57R6DAHFT

9T06031A57R6DAHFT

ნაწილი საფონდო: 4477

წინააღმდეგობა: 57.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A18R7DAHFT

9T08052A18R7DAHFT

ნაწილი საფონდო: 4014

წინააღმდეგობა: 18.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T12062A3012CAHFT

9T12062A3012CAHFT

ნაწილი საფონდო: 3989

წინააღმდეგობა: 30.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T12062A3013BBHFT

9T12062A3013BBHFT

ნაწილი საფონდო: 4061

წინააღმდეგობა: 301 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T12062A3012DAHFT

9T12062A3012DAHFT

ნაწილი საფონდო: 4043

წინააღმდეგობა: 30.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9C06031A7682FKHFT

9C06031A7682FKHFT

ნაწილი საფონდო: 4017

წინააღმდეგობა: 76.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9C12063A3834FKHFT

9C12063A3834FKHFT

ნაწილი საფონდო: 4055

წინააღმდეგობა: 3.83 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9C12063A13R7FKHFT

9C12063A13R7FKHFT

ნაწილი საფონდო: 4059

წინააღმდეგობა: 13.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2203FBHF3

9T04021A2203FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1152

წინააღმდეგობა: 220 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2003FBHF3

9T04021A2003FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1070

წინააღმდეგობა: 200 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2153FBHF3

9T04021A2153FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1131

წინააღმდეგობა: 215 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2053FBHF3

9T04021A2053FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1113

წინააღმდეგობა: 205 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2103FBHF3

9T04021A2103FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1139

წინააღმდეგობა: 210 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1963FBHF3

9T04021A1963FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1139

წინააღმდეგობა: 196 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1873FBHF3

9T04021A1873FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1058

წინააღმდეგობა: 187 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1823FBHF3

9T04021A1823FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1091

წინააღმდეგობა: 182 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1913FBHF3

9T04021A1913FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1129

წინააღმდეგობა: 191 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1783FBHF3

9T04021A1783FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1060

წინააღმდეგობა: 178 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1743FBHF3

9T04021A1743FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1084

წინააღმდეგობა: 174 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1583FBHF3

9T04021A1583FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1110

წინააღმდეგობა: 158 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1653FBHF3

9T04021A1653FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1138

წინააღმდეგობა: 165 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1603FBHF3

9T04021A1603FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1136

წინააღმდეგობა: 160 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1623FBHF3

9T04021A1623FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1083

წინააღმდეგობა: 162 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1473FBHF3

9T04021A1473FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1043

წინააღმდეგობა: 147 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1503FBHF3

9T04021A1503FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1073

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი