ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A1051FBHF3

9T04021A1051FBHF3

ნაწილი საფონდო: 851

წინააღმდეგობა: 1.05 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1071FBHF3

9T04021A1071FBHF3

ნაწილი საფონდო: 4110

წინააღმდეგობა: 1.07 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1001FBHF3

9T04021A1001FBHF3

ნაწილი საფონდო: 922

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9310FBHF3

9T04021A9310FBHF3

ნაწილი საფონდო: 878

წინააღმდეგობა: 931 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9530FBHF3

9T04021A9530FBHF3

ნაწილი საფონდო: 923

წინააღმდეგობა: 953 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9090FBHF3

9T04021A9090FBHF3

ნაწილი საფონდო: 889

წინააღმდეგობა: 909 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8870FBHF3

9T04021A8870FBHF3

ნაწილი საფონდო: 914

წინააღმდეგობა: 887 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9100FBHF3

9T04021A9100FBHF3

ნაწილი საფონდო: 915

წინააღმდეგობა: 910 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8660FBHF3

9T04021A8660FBHF3

ნაწილი საფონდო: 886

წინააღმდეგობა: 866 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8250FBHF3

9T04021A8250FBHF3

ნაწილი საფონდო: 858

წინააღმდეგობა: 825 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8060FBHF3

9T04021A8060FBHF3

ნაწილი საფონდო: 833

წინააღმდეგობა: 806 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8450FBHF3

9T04021A8450FBHF3

ნაწილი საფონდო: 833

წინააღმდეგობა: 845 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8200FBHF3

9T04021A8200FBHF3

ნაწილი საფონდო: 852

წინააღმდეგობა: 820 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7870FBHF3

9T04021A7870FBHF3

ნაწილი საფონდო: 847

წინააღმდეგობა: 787 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7690FBHF3

9T04021A7690FBHF3

ნაწილი საფონდო: 904

წინააღმდეგობა: 769 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7320FBHF3

9T04021A7320FBHF3

ნაწილი საფონდო: 895

წინააღმდეგობა: 732 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7500FBHF3

9T04021A7500FBHF3

ნაწილი საფონდო: 828

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6810FBHF3

9T04021A6810FBHF3

ნაწილი საფონდო: 846

წინააღმდეგობა: 681 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6980FBHF3

9T04021A6980FBHF3

ნაწილი საფონდო: 4103

წინააღმდეგობა: 698 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6800FBHF3

9T04021A6800FBHF3

ნაწილი საფონდო: 825

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7150FBHF3

9T04021A7150FBHF3

ნაწილი საფონდო: 870

წინააღმდეგობა: 715 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6200FBHF3

9T04021A6200FBHF3

ნაწილი საფონდო: 885

წინააღმდეგობა: 620 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6490FBHF3

9T04021A6490FBHF3

ნაწილი საფონდო: 857

წინააღმდეგობა: 649 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6650FBHF3

9T04021A6650FBHF3

ნაწილი საფონდო: 820

წინააღმდეგობა: 665 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6040FBHF3

9T04021A6040FBHF3

ნაწილი საფონდო: 868

წინააღმდეგობა: 604 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5760FBHF3

9T04021A5760FBHF3

ნაწილი საფონდო: 868

წინააღმდეგობა: 576 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6190FBHF3

9T04021A6190FBHF3

ნაწილი საფონდო: 842

წინააღმდეგობა: 619 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5620FBHF3

9T04021A5620FBHF3

ნაწილი საფონდო: 822

წინააღმდეგობა: 562 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5490FBHF3

9T04021A5490FBHF3

ნაწილი საფონდო: 878

წინააღმდეგობა: 549 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5600FBHF3

9T04021A5600FBHF3

ნაწილი საფონდო: 798

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5360FBHF3

9T04021A5360FBHF3

ნაწილი საფონდო: 827

წინააღმდეგობა: 536 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4990FBHF3

9T04021A4990FBHF3

ნაწილი საფონდო: 823

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5230FBHF3

9T04021A5230FBHF3

ნაწილი საფონდო: 836

წინააღმდეგობა: 523 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5100FBHF3

9T04021A5100FBHF3

ნაწილი საფონდო: 792

წინააღმდეგობა: 510 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4700FBHF3

9T04021A4700FBHF3

ნაწილი საფონდო: 792

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4750FBHF3

9T04021A4750FBHF3

ნაწილი საფონდო: 802

წინააღმდეგობა: 475 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი