ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A6342FBHF3

9T04021A6342FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1023

წინააღმდეგობა: 63.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5902FBHF3

9T04021A5902FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1037

წინააღმდეგობა: 59 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6042FBHF3

9T04021A6042FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1091

წინააღმდეგობა: 60.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6192FBHF3

9T04021A6192FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1043

წინააღმდეგობა: 61.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5362FBHF3

9T04021A5362FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1094

წინააღმდეგობა: 53.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5602FBHF3

9T04021A5602FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1062

წინააღმდეგობა: 56 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5622FBHF3

9T04021A5622FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1063

წინააღმდეგობა: 56.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5492FBHF3

9T04021A5492FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1016

წინააღმდეგობა: 54.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4992FBHF3

9T04021A4992FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1020

წინააღმდეგობა: 49.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5112FBHF3

9T04021A5112FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1028

წინააღმდეგობა: 51.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5232FBHF3

9T04021A5232FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1033

წინააღმდეგობა: 52.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4752FBHF3

9T04021A4752FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1067

წინააღმდეგობა: 47.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4702FBHF3

9T04021A4702FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1052

წინააღმდეგობა: 47 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4872FBHF3

9T04021A4872FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1015

წინააღმდეგობა: 48.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4642FBHF3

9T04021A4642FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1020

წინააღმდეგობა: 46.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4302FBHF3

9T04021A4302FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1007

წინააღმდეგობა: 43 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4322FBHF3

9T04021A4322FBHF3

ნაწილი საფონდო: 994

წინააღმდეგობა: 43.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4532FBHF3

9T04021A4532FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1075

წინააღმდეგობა: 45.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4122FBHF3

9T04021A4122FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1047

წინააღმდეგობა: 41.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4222FBHF3

9T04021A4222FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1013

წინააღმდეგობა: 42.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4022FBHF3

9T04021A4022FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1079

წინააღმდეგობა: 40.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3902FBHF3

9T04021A3902FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1058

წინააღმდეგობა: 39 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3832FBHF3

9T04021A3832FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1073

წინააღმდეგობა: 38.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3652FBHF3

9T04021A3652FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1066

წინააღმდეგობა: 36.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3742FBHF3

9T04021A3742FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1060

წინააღმდეგობა: 37.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3602FBHF3

9T04021A3602FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1076

წინააღმდეგობა: 36 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3402FBHF3

9T04021A3402FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1042

წინააღმდეგობა: 34 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3482FBHF3

9T04021A3482FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1072

წინააღმდეგობა: 34.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3572FBHF3

9T04021A3572FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1045

წინააღმდეგობა: 35.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3162FBHF3

9T04021A3162FBHF3

ნაწილი საფონდო: 996

წინააღმდეგობა: 31.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3302FBHF3

9T04021A3302FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1026

წინააღმდეგობა: 33 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3322FBHF3

9T04021A3322FBHF3

ნაწილი საფონდო: 990

წინააღმდეგობა: 33.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3002FBHF3

9T04021A3002FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1020

წინააღმდეგობა: 30 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3092FBHF3

9T04021A3092FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1017

წინააღმდეგობა: 30.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3012FBHF3

9T04021A3012FBHF3

ნაწილი საფონდო: 999

წინააღმდეგობა: 30.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2702FBHF3

9T04021A2702FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1043

წინააღმდეგობა: 27 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი