ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A2872FBHF3

9T04021A2872FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1038

წინააღმდეგობა: 28.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2802FBHF3

9T04021A2802FBHF3

ნაწილი საფონდო: 998

წინააღმდეგობა: 28 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2742FBHF3

9T04021A2742FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1004

წინააღმდეგობა: 27.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2612FBHF3

9T04021A2612FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1018

წინააღმდეგობა: 26.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2492FBHF3

9T04021A2492FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1064

წინააღმდეგობა: 24.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2552FBHF3

9T04021A2552FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1039

წინააღმდეგობა: 25.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2672FBHF3

9T04021A2672FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1065

წინააღმდეგობა: 26.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2402FBHF3

9T04021A2402FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1003

წინააღმდეგობა: 24 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2432FBHF3

9T04021A2432FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1023

წინააღმდეგობა: 24.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2322FBHF3

9T04021A2322FBHF3

ნაწილი საფონდო: 993

წინააღმდეგობა: 23.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2202FBHF3

9T04021A2202FBHF3

ნაწილი საფონდო: 988

წინააღმდეგობა: 22 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2262FBHF3

9T04021A2262FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1017

წინააღმდეგობა: 22.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2152FBHF3

9T04021A2152FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1057

წინააღმდეგობა: 21.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2102FBHF3

9T04021A2102FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1038

წინააღმდეგობა: 21 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2002FBHF3

9T04021A2002FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1016

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1962FBHF3

9T04021A1962FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1040

წინააღმდეგობა: 19.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2052FBHF3

9T04021A2052FBHF3

ნაწილი საფონდო: 4111

წინააღმდეგობა: 20.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1912FBHF3

9T04021A1912FBHF3

ნაწილი საფონდო: 980

წინააღმდეგობა: 19.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1872FBHF3

9T04021A1872FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1046

წინააღმდეგობა: 18.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1802FBHF3

9T04021A1802FBHF3

ნაწილი საფონდო: 991

წინააღმდეგობა: 18 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1822FBHF3

9T04021A1822FBHF3

ნაწილი საფონდო: 4101

წინააღმდეგობა: 18.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1692FBHF3

9T04021A1692FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1008

წინააღმდეგობა: 16.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1742FBHF3

9T04021A1742FBHF3

ნაწილი საფონდო: 989

წინააღმდეგობა: 17.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1652FBHF3

9T04021A1652FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1034

წინააღმდეგობა: 16.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1782FBHF3

9T04021A1782FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1010

წინააღმდეგობა: 17.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1602FBHF3

9T04021A1602FBHF3

ნაწილი საფონდო: 967

წინააღმდეგობა: 16 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1582FBHF3

9T04021A1582FBHF3

ნაწილი საფონდო: 967

წინააღმდეგობა: 15.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1622FBHF3

9T04021A1622FBHF3

ნაწილი საფონდო: 979

წინააღმდეგობა: 16.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1502FBHF3

9T04021A1502FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1019

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1472FBHF3

9T04021A1472FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1014

წინააღმდეგობა: 14.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1402FBHF3

9T04021A1402FBHF3

ნაწილი საფონდო: 998

წინააღმდეგობა: 14 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1332FBHF3

9T04021A1332FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1016

წინააღმდეგობა: 13.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1302FBHF3

9T04021A1302FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1033

წინააღმდეგობა: 13 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1272FBHF3

9T04021A1272FBHF3

ნაწილი საფონდო: 996

წინააღმდეგობა: 12.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1372FBHF3

9T04021A1372FBHF3

ნაწილი საფონდო: 4118

წინააღმდეგობა: 13.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1242FBHF3

9T04021A1242FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1040

წინააღმდეგობა: 12.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი