ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A1543FBHF3

9T04021A1543FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1082

წინააღმდეგობა: 154 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1433FBHF3

9T04021A1433FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1131

წინააღმდეგობა: 143 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1333FBHF3

9T04021A1333FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1041

წინააღმდეგობა: 133 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1403FBHF3

9T04021A1403FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1069

წინააღმდეგობა: 140 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1373FBHF3

9T04021A1373FBHF3

ნაწილი საფონდო: 4104

წინააღმდეგობა: 137 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1213FBHF3

9T04021A1213FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1116

წინააღმდეგობა: 121 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1303FBHF3

9T04021A1303FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1117

წინააღმდეგობა: 130 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1243FBHF3

9T04021A1243FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1090

წინააღმდეგობა: 124 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1273FBHF3

9T04021A1273FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1075

წინააღმდეგობა: 127 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1183FBHF3

9T04021A1183FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1059

წინააღმდეგობა: 118 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1153FBHF3

9T04021A1153FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1124

წინააღმდეგობა: 115 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1133FBHF3

9T04021A1133FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1064

წინააღმდეგობა: 113 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1053FBHF3

9T04021A1053FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1082

წინააღმდეგობა: 105 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1103FBHF3

9T04021A1103FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1100

წინააღმდეგობა: 110 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1073FBHF3

9T04021A1073FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1113

წინააღმდეგობა: 107 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1023FBHF3

9T04021A1023FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1029

წინააღმდეგობა: 102 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9762FBHF3

9T04021A9762FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1102

წინააღმდეგობა: 97.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9532FBHF3

9T04021A9532FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1100

წინააღმდეგობა: 95.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1003FBHF3

9T04021A1003FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1121

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8662FBHF3

9T04021A8662FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1119

წინააღმდეგობა: 86.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9092FBHF3

9T04021A9092FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1101

წინააღმდეგობა: 90.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8872FBHF3

9T04021A8872FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1103

წინააღმდეგობა: 88.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9102FBHF3

9T04021A9102FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1093

წინააღმდეგობა: 91 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8202FBHF3

9T04021A8202FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1034

წინააღმდეგობა: 82 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8452FBHF3

9T04021A8452FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1068

წინააღმდეგობა: 84.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8062FBHF3

9T04021A8062FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1052

წინააღმდეგობა: 80.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7502FBHF3

9T04021A7502FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1017

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7872FBHF3

9T04021A7872FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1055

წინააღმდეგობა: 78.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7692FBHF3

9T04021A7692FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1109

წინააღმდეგობა: 76.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7322FBHF3

9T04021A7322FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1020

წინააღმდეგობა: 73.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6812FBHF3

9T04021A6812FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1063

წინააღმდეგობა: 68.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6802FBHF3

9T04021A6802FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1055

წინააღმდეგობა: 68 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7152FBHF3

9T04021A7152FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1063

წინააღმდეგობა: 71.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6982FBHF3

9T04021A6982FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1088

წინააღმდეგობა: 69.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6652FBHF3

9T04021A6652FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1083

წინააღმდეგობა: 66.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6492FBHF3

9T04021A6492FBHF3

ნაწილი საფონდო: 1092

წინააღმდეგობა: 64.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი