ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A2321FBHF3

9T04021A2321FBHF3

ნაწილი საფონდო: 4117

წინააღმდეგობა: 2.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2211FBHF3

9T04021A2211FBHF3

ნაწილი საფონდო: 915

წინააღმდეგობა: 2.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2261FBHF3

9T04021A2261FBHF3

ნაწილი საფონდო: 864

წინააღმდეგობა: 2.26 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2051FBHF3

9T04021A2051FBHF3

ნაწილი საფონდო: 4150

წინააღმდეგობა: 2.05 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2101FBHF3

9T04021A2101FBHF3

ნაწილი საფონდო: 889

წინააღმდეგობა: 2.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2151FBHF3

9T04021A2151FBHF3

ნაწილი საფონდო: 897

წინააღმდეგობა: 2.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2001FBHF3

9T04021A2001FBHF3

ნაწილი საფონდო: 7502

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1871FBHF3

9T04021A1871FBHF3

ნაწილი საფონდო: 945

წინააღმდეგობა: 1.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1961FBHF3

9T04021A1961FBHF3

ნაწილი საფონდო: 873

წინააღმდეგობა: 1.96 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1911FBHF3

9T04021A1911FBHF3

ნაწილი საფონდო: 4184

წინააღმდეგობა: 1.91 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1821FBHF3

9T04021A1821FBHF3

ნაწილი საფონდო: 4132

წინააღმდეგობა: 1.82 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1741FBHF3

9T04021A1741FBHF3

ნაწილი საფონდო: 910

წინააღმდეგობა: 1.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1781FBHF3

9T04021A1781FBHF3

ნაწილი საფონდო: 889

წინააღმდეგობა: 1.78 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1801FBHF3

9T04021A1801FBHF3

ნაწილი საფონდო: 849

წინააღმდეგობა: 1.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1621FBHF3

9T04021A1621FBHF3

ნაწილი საფონდო: 939

წინააღმდეგობა: 1.62 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1691FBHF3

9T04021A1691FBHF3

ნაწილი საფონდო: 861

წინააღმდეგობა: 1.69 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1601FBHF3

9T04021A1601FBHF3

ნაწილი საფონდო: 906

წინააღმდეგობა: 1.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1651FBHF3

9T04021A1651FBHF3

ნაწილი საფონდო: 904

წინააღმდეგობა: 1.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1581FBHF3

9T04021A1581FBHF3

ნაწილი საფონდო: 941

წინააღმდეგობა: 1.58 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1471FBHF3

9T04021A1471FBHF3

ნაწილი საფონდო: 904

წინააღმდეგობა: 1.47 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1541FBHF3

9T04021A1541FBHF3

ნაწილი საფონდო: 873

წინააღმდეგობა: 1.54 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1501FBHF3

9T04021A1501FBHF3

ნაწილი საფონდო: 913

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1401FBHF3

9T04021A1401FBHF3

ნაწილი საფონდო: 894

წინააღმდეგობა: 1.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1431FBHF3

9T04021A1431FBHF3

ნაწილი საფონდო: 927

წინააღმდეგობა: 1.43 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1371FBHF3

9T04021A1371FBHF3

ნაწილი საფონდო: 921

წინააღმდეგობა: 1.37 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1331FBHF3

9T04021A1331FBHF3

ნაწილი საფონდო: 909

წინააღმდეგობა: 1.33 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1241FBHF3

9T04021A1241FBHF3

ნაწილი საფონდო: 900

წინააღმდეგობა: 1.24 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1211FBHF3

9T04021A1211FBHF3

ნაწილი საფონდო: 4133

წინააღმდეგობა: 1.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1301FBHF3

9T04021A1301FBHF3

ნაწილი საფონდო: 872

წინააღმდეგობა: 1.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1271FBHF3

9T04021A1271FBHF3

ნაწილი საფონდო: 923

წინააღმდეგობა: 1.27 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1131FBHF3

9T04021A1131FBHF3

ნაწილი საფონდო: 836

წინააღმდეგობა: 1.13 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1201FBHF3

9T04021A1201FBHF3

ნაწილი საფონდო: 876

წინააღმდეგობა: 1.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1151FBHF3

9T04021A1151FBHF3

ნაწილი საფონდო: 864

წინააღმდეგობა: 1.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1181FBHF3

9T04021A1181FBHF3

ნაწილი საფონდო: 877

წინააღმდეგობა: 1.18 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1021FBHF3

9T04021A1021FBHF3

ნაწილი საფონდო: 907

წინააღმდეგობა: 1.02 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1101FBHF3

9T04021A1101FBHF3

ნაწილი საფონდო: 875

წინააღმდეგობა: 1.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი