Menu
საქართველოსაქართველო
0Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი
SS10PH10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10PH10HM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 162769

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-6ESU06HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESU06HM3/86A

ნაწილი საფონდო: 131452

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 6A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 58ns,

სასურველი
VS-20TQ035S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20TQ035S-M3

ნაწილი საფონდო: 99125

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V12P8-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P8-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 169112

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4.3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 660mV @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V8P20-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P20-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 176312

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-MBRB735TRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB735TRL-M3

ნაწილი საფონდო: 108342

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SB220-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB220-E3/73

ნაწილი საფონდო: 130771

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V12P6HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P6HM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 144

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 610mV @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V10P45-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P45-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 149312

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4.4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SS12P3L-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P3L-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 190377

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 560mV @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SS10P4HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P4HM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 166910

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 560mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-MBRB1035-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1035-M3

ნაწილი საფონდო: 128064

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-30WQ04FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ04FNTRHM3

ნაწილი საფონდო: 101743

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 530mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-30WQ03FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ03FN-M3

ნაწილი საფონდო: 161143

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-MBRB745-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB745-M3

ნაწილი საფონდო: 135572

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-10WQ045FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10WQ045FNTRHM3

ნაწილი საფონდო: 62347

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 630mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V8P45-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P45-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 164679

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4.3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-6TQ040STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6TQ040STRL-M3

ნაწილი საფონდო: 108405

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 6A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-12TQ045SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ045SHM3

ნაწილი საფონდო: 84998

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 560mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-30WQ03FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ03FNTR-M3

ნაწილი საფონდო: 170720

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-6TQ045S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6TQ045S-M3

ნაწილი საფონდო: 136953

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 6A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V15P10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P10-M3/I

ნაწილი საფონდო: 116

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 710mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-MBRB1635TRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1635TRR-M3

ნაწილი საფონდო: 79609

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 630mV @ 16A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S4PMHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PMHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 141826

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 4A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2.5µs,

სასურველი
V12PM10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12PM10HM3/H

ნაწილი საფონდო: 105

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-MBRD330TR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD330TR-M3

ნაწილი საფონდო: 151441

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-10TQ035STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ035STRR-M3

ნაწილი საფონდო: 88667

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-20TQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20TQ045STRR-M3

ნაწილი საფონდო: 75741

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-30WQ04FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ04FNHM3

ნაწილი საფონდო: 101827

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 530mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-50WQ04FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ04FNTRR-M3

ნაწილი საფონდო: 150423

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 510mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V8PM12-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PM12-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 122652

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V15P6-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P6-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 152351

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4.8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 620mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V10P8-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P8-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 192958

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3.9A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 680mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V12P45-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P45-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 160639

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4.3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V20PL50-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PL50-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 170505

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 590mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-30WQ10FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ10FNTRHM3

ნაწილი საფონდო: 99865

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 810mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი