Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი
S1AFG-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFG-M3/6A

ნაწილი საფონდო: 112349

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.47µs,

სასურველი
VSSAF3M10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF3M10-M3/H

ნაწილი საფონდო: 100

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 720mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SS10P6HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P6HM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 182602

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 7A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 670mV @ 7A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S1AFK-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFK-M3/6A

ნაწილი საფონდო: 171353

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.47µs,

სასურველი
SS10PH45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10PH45HM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 141131

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 720mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V15P6HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P6HM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 92

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 620mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V8P8-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P8-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 188033

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 660mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V8P15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P15-M3/H

ნაწილი საფონდო: 163

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.08V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-6ESH01-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESH01-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 177394

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 940mV @ 6A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 22ns,

სასურველი
VT5202-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT5202-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 92742

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SE30PAGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE30PAGHM3/I

ნაწილი საფონდო: 178133

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.16V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.3µs,

სასურველი
V15P8HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P8HM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 164

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 660mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S4PKHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PKHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 101974

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 4A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2.5µs,

სასურველი
SB2H100-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB2H100-E3/54

ნაწილი საფონდო: 180596

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 790mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V12P15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P15-M3/I

ნაწილი საფონდო: 124

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.08V @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SS5P9HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P9HM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 128

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V8P8HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P8HM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 171

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 660mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SS10P3HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3HM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 157059

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 560mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V8PAL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PAL45-M3/I

ნაწილი საფონდო: 128585

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SS3P6LHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P6LHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 163508

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V12P8-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P8-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 199224

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4.3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 660mV @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V15P12HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P12HM3/H

ნაწილი საფონდო: 107

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 810mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V12P15HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P15HM3/H

ნაწილი საფონდო: 128

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.08V @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VSSAF510HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF510HM3/H

ნაწილი საფონდო: 142

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-2EJH02-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EJH02-M3/6B

ნაწილი საფონდო: 116384

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 930mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
VSSAF5M12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5M12-M3/I

ნაწილი საფონდო: 68

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 890mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-2EJH01HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EJH01HM3/6B

ნაწილი საფონდო: 103724

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 930mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
VS-400UR160D
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-400UR160D

ნაწილი საფონდო: 1361

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 400A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.62V @ 1500A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-SD400N20PC
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-SD400N20PC

ნაწილი საფონდო: 741

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 2000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 400A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.62V @ 1500A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VSSAF510-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF510-M3/I

ნაწილი საფონდო: 114

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SS1FN6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1FN6-M3/I

ნაწილი საფონდო: 103

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 530mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V10PM12-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM12-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 160229

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3.9A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 830mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V8PAN50-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PAN50-M3/I

ნაწილი საფონდო: 188473

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3.7A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 420mV @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VSSAF5L45-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5L45-M3/6A

ნაწილი საფონდო: 99042

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 560mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SE30PAG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE30PAG-M3/I

ნაწილი საფონდო: 119037

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.16V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.3µs,

სასურველი
VSSAF512-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF512-M3/I

ნაწილი საფონდო: 67

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი