დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 100

V12P15-M3/H

ნაწილი საფონდო: 161

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.08V @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10PH9HM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 129

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

V15PM12-M3/I

ნაწილი საფონდო: 84

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF512HM3/I

ნაწილი საფონდო: 95

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF3M10HM3/I

ნაწილი საფონდო: 108

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 720mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P8-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 141034

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 660mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P3LHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 121692

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 470mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2FN6-M3/I

ნაწილი საფონდო: 161

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFJ-M3/6B

ნაწილი საფონდო: 111845

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.47µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P6HM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 176

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 610mV @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

V15PM10-M3/H

ნაწილი საფონდო: 150

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF56HM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 100

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 620mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-150KR40A

ნაწილი საფონდო: 2138

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.33V @ 471A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8PH9HM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 127

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P15HM3/I

ნაწილი საფონდო: 162

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.08V @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P5-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 188897

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 7A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 7A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P12HM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 142833

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 820mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P12HM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 108148

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3.9A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 830mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P3HM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 160783

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 520mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P3HM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 115346

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 520mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P45S-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 183455

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4.8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 400mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PL45-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 149126

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 520mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P3L-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 169267

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 560mV @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P12-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 173213

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P5HM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 133480

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 7A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 670mV @ 7A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P6HM3J_A/H

ნაწილი საფონდო: 115708

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 690mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PM10SHM3/I

ნაწილი საფონდო: 174966

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 780mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

V12PM10-M3/I

ნაწილი საფონდო: 147

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PBHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 144585

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 4A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2.5µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PM12HM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 135616

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3.6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P6HM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 136670

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 690mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM10-M3/I

ნაწილი საფონდო: 154

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P12HM3/I

ნაწილი საფონდო: 142

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 810mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P15HM3/H

ნაწილი საფონდო: 156

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.08V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESH01-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 155180

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 940mV @ 6A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 22ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM12HM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 100052

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3.9A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 830mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი