Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი
VS-10TQ035STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ035STRLHM3

ნაწილი საფონდო: 68781

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-50WQ06FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ06FNTRLHM3

ნაწილი საფონდო: 85985

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-6TQ040S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6TQ040S-M3

ნაწილი საფონდო: 137750

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 6A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-8TQ080STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ080STRLHM3

ნაწილი საფონდო: 69374

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 720mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-50WQ04FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ04FNTR-M3

ნაწილი საფონდო: 122267

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 510mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-30WQ06FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ06FNTRHM3

ნაწილი საფონდო: 101393

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 610mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-MBRD320-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD320-M3

ნაწილი საფონდო: 103779

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-12TQ045STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ045STRRHM3

ნაწილი საფონდო: 70225

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 560mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V8P6HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P6HM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 127

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 610mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-50WQ06FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ06FNTRRHM3

ნაწილი საფონდო: 86043

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SS10PH45-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10PH45-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 139624

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 720mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
GP10G-4004HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10G-4004HE3/54

ნაწილი საფონდო: 129060

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-30WQ03FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ03FNTRL-M3

ნაწილი საფონდო: 118871

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SS3P3L-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P3L-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 111263

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 470mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-19TQ015STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-19TQ015STRR-M3

ნაწილი საფონდო: 102

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 15V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 19A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 460mV @ 38A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-30WQ10FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ10FNTRLHM3

ნაწილი საფონდო: 99885

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 810mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-18TQ040HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ040HN3

ნაწილი საფონდო: 76719

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 18A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-30WQ04FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ04FNTRL-M3

ნაწილი საფონდო: 129619

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 530mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-8TQ100S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ100S-M3

ნაწილი საფონდო: 113298

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 720mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-12TQ040STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ040STRR-M3

ნაწილი საფონდო: 90498

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 560mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-12TQ035STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ035STRR-M3

ნაწილი საფონდო: 90036

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 560mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-STPS1045BTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-STPS1045BTR-M3

ნაწილი საფონდო: 178165

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 630mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-6ESH06-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESH06-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 191284

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 6A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 40ns,

სასურველი
S4PGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PGHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 145380

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 4A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2.5µs,

სასურველი
GP10G-4004EHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10G-4004EHE3/54

ნაწილი საფონდო: 150832

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SS8P3L-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P3L-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 118173

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S4PK-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PK-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 194886

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 4A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2.5µs,

სასურველი
S4PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PDHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 157718

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 4A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2.5µs,

სასურველი
VS-10TQ035S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ035S-M3

ნაწილი საფონდო: 104301

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S4PMHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PMHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 151082

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 4A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2.5µs,

სასურველი
V20PL60-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PL60-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 175842

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 590mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SS8P3LHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P3LHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 198099

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SS10P4HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P4HM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 184702

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 560mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-50WQ04FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ04FNTRLHM3

ნაწილი საფონდო: 86690

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 510mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-12TQ040SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ040SHM3

ნაწილი საფონდო: 84992

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 560mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-19TQ015STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-19TQ015STRL-M3

ნაწილი საფონდო: 76226

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 15V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 19A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 360mV @ 19A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი