Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი
VS-50WQ10FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ10FNTRRHM3

ნაწილი საფონდო: 84456

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 770mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-6TQ035S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6TQ035S-M3

ნაწილი საფონდო: 137173

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 6A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V10P10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P10HM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 165407

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 680mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SS3P4HE3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P4HE3/85A

ნაწილი საფონდო: 147714

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V25PL60-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V25PL60-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 175827

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 630mV @ 25A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-8TQ100STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ100STRL-M3

ნაწილი საფონდო: 89223

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 720mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S4PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PG-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 155152

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 4A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2.5µs,

სასურველი
SS12P2L-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P2L-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 190434

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 560mV @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-30WQ10FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ10FN-M3

ნაწილი საფონდო: 160826

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 810mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V15P8-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P8-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 174345

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4.6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 660mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V8PM10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PM10-M3/H

ნაწილი საფონდო: 163

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-18TQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ045STRR-M3

ნაწილი საფონდო: 74294

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 18A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-50WQ03FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ03FNTR-M3

ნაწილი საფონდო: 149737

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 460mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-12TQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ045STRR-M3

ნაწილი საფონდო: 89952

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 560mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S5PMS-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S5PMS-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 103193

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 940mV @ 2.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2.5µs,

სასურველი
VS-12TQ040STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ040STRL-M3

ნაწილი საფონდო: 90505

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 560mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V10PM10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM10HM3/I

ნაწილი საფონდო: 136

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-4ESH02HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4ESH02HM3/87A

ნაწილი საფონდო: 162247

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 930mV @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
VS-MBRB1045-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1045-M3

ნაწილი საფონდო: 127819

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-MBRB1045TRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1045TRL-M3

ნაწილი საფონდო: 41979

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-30WQ03FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ03FNTRR-M3

ნაწილი საფონდო: 150468

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SS10P3HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3HM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 184643

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 560mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-50WQ06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ06FNTRR-M3

ნაწილი საფონდო: 193615

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-30WQ06FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ06FNTRL-M3

ნაწილი საფონდო: 194467

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 610mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S4PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PJHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 196085

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 4A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2.5µs,

სასურველი
SS3P3LHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P3LHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 153102

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 470mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-50WQ03FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ03FNTRLHM3

ნაწილი საფონდო: 163940

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 460mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-50WQ10FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ10FNTRHM3

ნაწილი საფონდო: 84444

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 770mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S5PMS-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S5PMS-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 117706

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.5µs,

სასურველი
SS3P4LHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P4LHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 197445

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 470mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-100BGQ015HF4
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-100BGQ015HF4

ნაწილი საფონდო: 15969

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 15V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 520mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V15P45HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P45HM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 125

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-MBRB1645TRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1645TRR-M3

ნაწილი საფონდო: 73811

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 630mV @ 16A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
GP10D-4003HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10D-4003HE3/54

ნაწილი საფონდო: 133983

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SB220-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB220-E3/54

ნაწილი საფონდო: 164121

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-8TQ100SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ100SHM3

ნაწილი საფონდო: 83725

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 720mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი