Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი
VS-71HF80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-71HF80

ნაწილი საფონდო: 6884

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.35V @ 220A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-10TQ045STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ045STRRHM3

ნაწილი საფონდო: 69346

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-50WQ03FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ03FNTRRHM3

ნაწილი საფონდო: 163454

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 460mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SA2J-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

SA2J-M3/5AT

ნაწილი საფონდო: 172028

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.5µs,

სასურველი
VS-175BGQ030HF4
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-175BGQ030HF4

ნაწილი საფონდო: 12547

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 175A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 590mV @ 175A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-6FLR80S05
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6FLR80S05

ნაწილი საფონდო: 12963

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 6A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი
VS-70HFL10S05
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70HFL10S05

ნაწილი საფონდო: 7032

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.85V @ 219.8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი
VS-40HFLR60S02M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HFLR60S02M

ნაწილი საფონდო: 4211

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 125A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-12TQ035STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ035STRL-M3

ნაწილი საფონდო: 90025

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 560mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SS24SHE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS24SHE3_B/I

ნაწილი საფონდო: 125

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S1B-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1B-M3/5AT

ნაწილი საფონდო: 196535

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.8µs,

სასურველი
VS-12FL80S05
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12FL80S05

ნაწილი საფონდო: 12307

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი
VS-30WQ04FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ04FNTRLHM3

ნაწილი საფონდო: 101812

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 530mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-2EMH01-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EMH01-M3/5AT

ნაწილი საფონდო: 128994

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
VS-MBRB735-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB735-M3

ნაწილი საფონდო: 137372

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
CSA2D-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

CSA2D-E3/H

ნაწილი საფონდო: 162

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2.1µs,

სასურველი
VS-50WQ06FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ06FNTRL-M3

ნაწილი საფონდო: 183446

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SS1FH10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1FH10-M3/I

ნაწილი საფონდო: 119310

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-71HFR160M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-71HFR160M

ნაწილი საფონდო: 3607

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.46V @ 220A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-72HFR60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-72HFR60

ნაწილი საფონდო: 8691

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.35V @ 220A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-85HF10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-85HF10

ნაწილი საფონდო: 8698

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 85A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 267A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-16F80M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16F80M

ნაწილი საფონდო: 8745

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.23V @ 50A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SS23S-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS23S-M3/61T

ნაწილი საფონდო: 196490

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-85HF20M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-85HF20M

ნაწილი საფონდო: 3892

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 85A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 267A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
ESH1B-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

ESH1B-E3/5AT

ნაწილი საფონდო: 193072

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
VS-70HF140M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70HF140M

ნაწილი საფონდო: 4564

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.46V @ 220A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-72HFR160
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-72HFR160

ნაწილი საფონდო: 6220

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.46V @ 220A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-1N2137A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N2137A

ნაწილი საფონდო: 7865

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 500V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 188A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-12TQ040S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ040S-M3

ნაწილი საფონდო: 115556

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 560mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-6FR100M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6FR100M

ნაწილი საფონდო: 8680

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 19A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S1J-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1J-M3/61T

ნაწილი საფონდო: 194276

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.8µs,

სასურველი
VS-1N3889
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3889

ნაწილი საფონდო: 14203

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 300ns,

სასურველი
VS-6FL60S02
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6FL60S02

ნაწილი საფონდო: 13567

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 6A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სასურველი
VS-85HFR140
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-85HFR140

ნაწილი საფონდო: 7047

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 85A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 267A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-70HFR120M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70HFR120M

ნაწილი საფონდო: 4382

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.35V @ 220A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-40HFLR20S02
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HFLR20S02

ნაწილი საფონდო: 10473

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.95V @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სასურველი