ფიქსირებული ინდუქტორები

LAP02KR1R5K

LAP02KR1R5K

ნაწილი საფონდო: 4713

ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
LEM2520TR18J

LEM2520TR18J

ნაწილი საფონდო: 4797

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 180nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 460mA,

სასურველი
LAL03VBR68M

LAL03VBR68M

ნაწილი საფონდო: 9497

ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 310mA,

სასურველი
LAL04NA180K

LAL04NA180K

ნაწილი საფონდო: 4625

ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA,

სასურველი
LAL03TB3R9K

LAL03TB3R9K

ნაწილი საფონდო: 4503

ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
LAL02VD3R3K

LAL02VD3R3K

ნაწილი საფონდო: 4451

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA,

სასურველი
LHL06NB561K

LHL06NB561K

ნაწილი საფონდო: 4872

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 560µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 85mA,

სასურველი
LAL03NA1R5M

LAL03NA1R5M

ნაწილი საფონდო: 9522

ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
LAL03VB151K

LAL03VB151K

ნაწილი საფონდო: 4515

ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 85mA,

სასურველი
LAL04NAR33M

LAL04NAR33M

ნაწილი საფონდო: 4637

ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.28A,

სასურველი
LAP02KR2R2K

LAP02KR2R2K

ნაწილი საფონდო: 4724

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA,

სასურველი
LAL04SK100K

LAL04SK100K

ნაწილი საფონდო: 4651

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
LAL04TB391K

LAL04TB391K

ნაწილი საფონდო: 4678

ინდუქცია: 390µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 133mA,

სასურველი
LAL03NA120K

LAL03NA120K

ნაწილი საფონდო: 9501

ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
LAL03T330K

LAL03T330K

ნაწილი საფონდო: 4445

ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,

სასურველი
LEM2520TR82J

LEM2520TR82J

ნაწილი საფონდო: 4767

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,

სასურველი
LAL04KB820K

LAL04KB820K

ნაწილი საფონდო: 4625

ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,

სასურველი
LHF15BB121K

LHF15BB121K

ნაწილი საფონდო: 4847

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.7A,

სასურველი
LHLC06NB120K

LHLC06NB120K

ნაწილი საფონდო: 9516

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.15A,

სასურველი
LAL03VB120K

LAL03VB120K

ნაწილი საფონდო: 4497

ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
LAL04TB6R8K

LAL04TB6R8K

ნაწილი საფონდო: 4707

ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,

სასურველი
LAN02TAR68K

LAN02TAR68K

ნაწილი საფონდო: 4694

ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,

სასურველი
LAL04NA121K

LAL04NA121K

ნაწილი საფონდო: 4616

ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 185mA,

სასურველი
LHL16TB331K

LHL16TB331K

ნაწილი საფონდო: 4924

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
LAV35VB560K

LAV35VB560K

ნაწილი საფონდო: 4814

ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 190mA,

სასურველი
LAL03VB220K

LAL03VB220K

ნაწილი საფონდო: 4499

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA,

სასურველი
LAL04KB390K

LAL04KB390K

ნაწილი საფონდო: 4549

ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,

სასურველი
LAL03TA560K

LAL03TA560K

ნაწილი საფონდო: 4421

ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 105mA,

სასურველი
LAL03TB4R7K

LAL03TB4R7K

ნაწილი საფონდო: 4456

ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 190mA,

სასურველი
LHF15BB221K

LHF15BB221K

ნაწილი საფონდო: 4843

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A,

სასურველი
LBH1608T56NJ

LBH1608T56NJ

ნაწილი საფონდო: 4775

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
LAL03VB270K

LAL03VB270K

ნაწილი საფონდო: 4570

ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 125mA,

სასურველი
LAN02KR120J

LAN02KR120J

ნაწილი საფონდო: 4642

ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 280mA,

სასურველი
LHL06TB332J

LHL06TB332J

ნაწილი საფონდო: 4874

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 37mA,

სასურველი
LAV35VBR68M

LAV35VBR68M

ნაწილი საფონდო: 4752

ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA,

სასურველი
LAL04SKR39M

LAL04SKR39M

ნაწილი საფონდო: 4689

ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი