ფიქსირებული ინდუქტორები

LAV35VB120K

LAV35VB120K

ნაწილი საფონდო: 4744

ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,

სასურველი
LEMF2520T470K

LEMF2520T470K

ნაწილი საფონდო: 4778

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 60mA,

სასურველი
LAL03TA1R5M

LAL03TA1R5M

ნაწილი საფონდო: 4448

ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
LAL03KH220K

LAL03KH220K

ნაწილი საფონდო: 4417

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA,

სასურველი
LAP02KR270K

LAP02KR270K

ნაწილი საფონდო: 9470

ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,

სასურველი
LHL06NB1R8M

LHL06NB1R8M

ნაწილი საფონდო: 4858

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,

სასურველი
LAP02KR100K

LAP02KR100K

ნაწილი საფონდო: 4683

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
LAL04SK2R2M

LAL04SK2R2M

ნაწილი საფონდო: 4686

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,

სასურველი
LAL03NA821K

LAL03NA821K

ნაწილი საფონდო: 4474

ინდუქცია: 820µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 40mA,

სასურველი
LBH1608T2N7D

LBH1608T2N7D

ნაწილი საფონდო: 9541

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
LHLC06NB330K

LHLC06NB330K

ნაწილი საფონდო: 4898

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 730mA,

სასურველი
LAL03TA121K

LAL03TA121K

ნაწილი საფონდო: 4481

ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 90mA,

სასურველი
LAN02KR101J

LAN02KR101J

ნაწილი საფონდო: 4657

ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,

სასურველი
LAV35VB3R9K

LAV35VB3R9K

ნაწილი საფონდო: 9561

ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA,

სასურველი
LEM2520T47NK

LEM2520T47NK

ნაწილი საფონდო: 4793

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA,

სასურველი
LAL03VB6R8K

LAL03VB6R8K

ნაწილი საფონდო: 4604

ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 175mA,

სასურველი
LBC2518T102K

LBC2518T102K

ნაწილი საფონდო: 4773

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 15mA,

სასურველი
LAL03KH820K

LAL03KH820K

ნაწილი საფონდო: 4400

ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 95mA,

სასურველი
LEM2520TR22K

LEM2520TR22K

ნაწილი საფონდო: 4827

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA,

სასურველი
LAL03KH2R7M

LAL03KH2R7M

ნაწილი საფონდო: 4433

ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,

სასურველი
LAL03VB561K

LAL03VB561K

ნაწილი საფონდო: 4581

ინდუქცია: 560µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,

სასურველი
LEM2520T3R9J

LEM2520T3R9J

ნაწილი საფონდო: 4745

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
LHL16TB151K

LHL16TB151K

ნაწილი საფონდო: 4867

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.4A,

სასურველი
LHL06NB1R0M

LHL06NB1R0M

ნაწილი საფონდო: 4840

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,

სასურველი
LHL06TB682J

LHL06TB682J

ნაწილი საფონდო: 4917

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 26mA,

სასურველი
LBH1608T15NJ

LBH1608T15NJ

ნაწილი საფონდო: 4744

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,

სასურველი
LAP02TA181K

LAP02TA181K

ნაწილი საფონდო: 4749

ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 37mA,

სასურველი
LHLC06TB270K

LHLC06TB270K

ნაწილი საფონდო: 4870

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
LHL06NB330K

LHL06NB330K

ნაწილი საფონდო: 4878

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
LHLC06NB680K

LHLC06NB680K

ნაწილი საფონდო: 4941

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 530mA,

სასურველი
LEMF2520T680K

LEMF2520T680K

ნაწილი საფონდო: 4796

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,

სასურველი
LAL03TB102K

LAL03TB102K

ნაწილი საფონდო: 4521

ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 40mA,

სასურველი
LAV35VB181J

LAV35VB181J

ნაწილი საფონდო: 4805

ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 125mA,

სასურველი
LAL03NA560K

LAL03NA560K

ნაწილი საფონდო: 4466

ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 105mA,

სასურველი
LAL03KH3R3K

LAL03KH3R3K

ნაწილი საფონდო: 4426

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA,

სასურველი
LAL03TA181K

LAL03TA181K

ნაწილი საფონდო: 4427

ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,

სასურველი