ფიქსირებული ინდუქტორები

LAL04SKR27M

LAL04SKR27M

ნაწილი საფონდო: 4640

ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.32A,

სასურველი
LAL03NA471K

LAL03NA471K

ნაწილი საფონდო: 4485

ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 55mA,

სასურველი
LAL04KB821K

LAL04KB821K

ნაწილი საფონდო: 4612

ინდუქცია: 820µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 105mA,

სასურველი
LAN02KRR33K

LAN02KRR33K

ნაწილი საფონდო: 4706

ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 660mA,

სასურველი
LHL06TB560K

LHL06TB560K

ნაწილი საფონდო: 4909

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
LAN02KR1R8J

LAN02KR1R8J

ნაწილი საფონდო: 4659

ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA,

სასურველი
LAL04NA151K

LAL04NA151K

ნაწილი საფონდო: 4639

ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 175mA,

სასურველი
LEM2520T2R7J

LEM2520T2R7J

ნაწილი საფონდო: 9570

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 195mA,

სასურველი
LBH1608T47NJ

LBH1608T47NJ

ნაწილი საფონდო: 4818

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,

სასურველი
LAL04TB270K

LAL04TB270K

ნაწილი საფონდო: 4635

ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 390mA,

სასურველი
LHL16NB680K

LHL16NB680K

ნაწილი საფონდო: 4920

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.3A,

სასურველი
LHLC06NB150K

LHLC06NB150K

ნაწილი საფონდო: 4861

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
LAL02VD8R2K

LAL02VD8R2K

ნაწილი საფონდო: 4416

ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 165mA,

სასურველი
LHL06TB391K

LHL06TB391K

ნაწილი საფონდო: 4875

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 390µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 110mA,

სასურველი
LAN02TA471J

LAN02TA471J

ნაწილი საფონდო: 9549

ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 60mA,

სასურველი
LAN02TA151J

LAN02TA151J

ნაწილი საფონდო: 4700

ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 85mA,

სასურველი
LAN02KR820J

LAN02KR820J

ნაწილი საფონდო: 9482

ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 125mA,

სასურველი
LAP02KR560K

LAP02KR560K

ნაწილი საფონდო: 4742

ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 68mA,

სასურველი
LHL06NB472J

LHL06NB472J

ნაწილი საფონდო: 4813

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 33mA,

სასურველი
LAP02TA100K

LAP02TA100K

ნაწილი საფონდო: 4710

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
LAL03TB820K

LAL03TB820K

ნაწილი საფონდო: 4516

ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 95mA,

სასურველი
LAL04TB560K

LAL04TB560K

ნაწილი საფონდო: 9992

ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,

სასურველი
LAP02KRR68K

LAP02KRR68K

ნაწილი საფონდო: 9548

ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 310mA,

სასურველი
LAL04NA471K

LAL04NA471K

ნაწილი საფონდო: 4631

ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 126mA,

სასურველი
LAL03TA3R9K

LAL03TA3R9K

ნაწილი საფონდო: 9525

ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
LHLC06NB6R8K

LHLC06NB6R8K

ნაწილი საფონდო: 4887

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,

სასურველი
LHL06TB681K

LHL06TB681K

ნაწილი საფონდო: 4884

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,

სასურველი
LAL03TBR39M

LAL03TBR39M

ნაწილი საფონდო: 4517

ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,

სასურველი
LEM2520T56NK

LEM2520T56NK

ნაწილი საფონდო: 9546

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 340mA,

სასურველი
LEM2520TR12J

LEM2520TR12J

ნაწილი საფონდო: 4831

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 520mA,

სასურველი
LBH1608T3N3D

LBH1608T3N3D

ნაწილი საფონდო: 4777

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA,

სასურველი
LAL04NA681K

LAL04NA681K

ნაწილი საფონდო: 4607

ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 113mA,

სასურველი
LAL04SK221K

LAL04SK221K

ნაწილი საფონდო: 4656

ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 155mA,

სასურველი
LAL02VDR82K

LAL02VDR82K

ნაწილი საფონდო: 4389

ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,

სასურველი
LAL04TB102J

LAL04TB102J

ნაწილი საფონდო: 9534

ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,

სასურველი
LEM2520T6R8J

LEM2520T6R8J

ნაწილი საფონდო: 4813

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 165mA,

სასურველი