ფიქსირებული ინდუქტორები

LAL02VA151K

LAL02VA151K

ნაწილი საფონდო: 4439

ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 39mA,

სასურველი
LAL02VA390K

LAL02VA390K

ნაწილი საფონდო: 4389

ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 74mA,

სასურველი
LAL02TB5R6K

LAL02TB5R6K

ნაწილი საფონდო: 4426

ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
CBC2012T100MR

CBC2012T100MR

ნაწილი საფონდო: 4184

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 340mA, მიმდინარე - სატურაცია: 240mA,

სასურველი
LAL02NAR68K

LAL02NAR68K

ნაწილი საფონდო: 4407

ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 310mA,

სასურველი
LAL02NA221K

LAL02NA221K

ნაწილი საფონდო: 4334

ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 35mA,

სასურველი
LAL02TB2R7K

LAL02TB2R7K

ნაწილი საფონდო: 4377

ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,

სასურველი
LAL02VA101K

LAL02VA101K

ნაწილი საფონდო: 4397

ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 44mA,

სასურველი
LAL02VA3R3K

LAL02VA3R3K

ნაწილი საფონდო: 4418

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA,

სასურველი
LAL02VD1R8K

LAL02VD1R8K

ნაწილი საფონდო: 9490

ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
LAL02NA151K

LAL02NA151K

ნაწილი საფონდო: 4395

ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 39mA,

სასურველი
LAL02NA150K

LAL02NA150K

ნაწილი საფონდო: 4338

ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 145mA,

სასურველი
LAL02NA1R8K

LAL02NA1R8K

ნაწილი საფონდო: 4338

ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
LAL02VA3R9K

LAL02VA3R9K

ნაწილი საფონდო: 4388

ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
LAL02VA120K

LAL02VA120K

ნაწილი საფონდო: 4353

ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
LAL02VD1R2K

LAL02VD1R2K

ნაწილი საფონდო: 4431

ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,

სასურველი
LAL02TB151K

LAL02TB151K

ნაწილი საფონდო: 4414

ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 39mA,

სასურველი
LAL02VA5R6K

LAL02VA5R6K

ნაწილი საფონდო: 4439

ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
LAL02NA1R5K

LAL02NA1R5K

ნაწილი საფონდო: 4370

ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
LAL02TB181K

LAL02TB181K

ნაწილი საფონდო: 4391

ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 37mA,

სასურველი
LAL02TBR82K

LAL02TBR82K

ნაწილი საფონდო: 4401

ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,

სასურველი
LAL02VA6R8K

LAL02VA6R8K

ნაწილი საფონდო: 4404

ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 175mA,

სასურველი
NR4012T221M

NR4012T221M

ნაწილი საფონდო: 9470

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±20%,

სასურველი
LAL02VA180K

LAL02VA180K

ნაწილი საფონდო: 4428

ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
LAL02NA6R8K

LAL02NA6R8K

ნაწილი საფონდო: 4366

ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 175mA,

სასურველი
LAL02TB1R8K

LAL02TB1R8K

ნაწილი საფონდო: 4372

ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
LAL02VAR22K

LAL02VAR22K

ნაწილი საფონდო: 4380

ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
HK16083N9J-T

HK16083N9J-T

ნაწილი საფონდო: 4343

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
LAL02TB220K

LAL02TB220K

ნაწილი საფონდო: 4358

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA,

სასურველი
LAL02NAR39K

LAL02NAR39K

ნაწილი საფონდო: 4344

ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,

სასურველი
LAL02VA560K

LAL02VA560K

ნაწილი საფონდო: 4447

ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 68mA,

სასურველი
LAL02VD180K

LAL02VD180K

ნაწილი საფონდო: 4375

ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
LAL02TB1R0K

LAL02TB1R0K

ნაწილი საფონდო: 4341

ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 270mA,

სასურველი
NP04SB470M

NP04SB470M

ნაწილი საფონდო: 4198

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA, მიმდინარე - სატურაცია: 380mA,

სასურველი
LAL02NA100K

LAL02NA100K

ნაწილი საფონდო: 4317

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
NP04SZB1R0N

NP04SZB1R0N

ნაწილი საფონდო: 9421

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 4A,

სასურველი