ფიქსირებული ინდუქტორები

LAL03KH2R2M

LAL03KH2R2M

ნაწილი საფონდო: 4444

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA,

სასურველი
LEMC2520T150K

LEMC2520T150K

ნაწილი საფონდო: 4790

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 175mA,

სასურველი
LAV35VB121J

LAV35VB121J

ნაწილი საფონდო: 9558

ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
LHF15BB562J

LHF15BB562J

ნაწილი საფონდო: 4854

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 5.6mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA,

სასურველი
NR6012T4R0M

NR6012T4R0M

ნაწილი საფონდო: 9465

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.57A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.8A,

სასურველი
LAL02VA1R0K

LAL02VA1R0K

ნაწილი საფონდო: 4410

ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 270mA,

სასურველი
LAL02VA1R2K

LAL02VA1R2K

ნაწილი საფონდო: 4397

ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,

სასურველი
LAL02NA220K

LAL02NA220K

ნაწილი საფონდო: 4393

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA,

სასურველი
LAL02NA181K

LAL02NA181K

ნაწილი საფონდო: 4397

ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 37mA,

სასურველი
NR6012T5R3M

NR6012T5R3M

ნაწილი საფონდო: 4192

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 5.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.5A,

სასურველი
LAL02VD151K

LAL02VD151K

ნაწილი საფონდო: 4373

ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 39mA,

სასურველი
LAL02VD1R5K

LAL02VD1R5K

ნაწილი საფონდო: 4369

ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
LAL02TB2R2K

LAL02TB2R2K

ნაწილი საფონდო: 4421

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA,

სასურველი
NR4012T471M

NR4012T471M

ნაწილი საფონდო: 4151

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±20%,

სასურველი
NR6012T3R0M

NR6012T3R0M

ნაწილი საფონდო: 4191

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.73A,

სასურველი
LAL02NAR33K

LAL02NAR33K

ნაწილი საფონდო: 9476

ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 370mA,

სასურველი
LAL02TB8R2K

LAL02TB8R2K

ნაწილი საფონდო: 4341

ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 165mA,

სასურველი
LAL02TB330K

LAL02TB330K

ნაწილი საფონდო: 4400

ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 76mA,

სასურველი
NP04SZB100M

NP04SZB100M

ნაწილი საფონდო: 4235

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,

სასურველი
LAL02TBR56K

LAL02TBR56K

ნაწილი საფონდო: 4344

ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,

სასურველი
LAL02VA8R2K

LAL02VA8R2K

ნაწილი საფონდო: 4356

ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 165mA,

სასურველი
LAL02VD1R0K

LAL02VD1R0K

ნაწილი საფონდო: 4397

ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 270mA,

სასურველი
LAL02VAR47K

LAL02VAR47K

ნაწილი საფონდო: 4365

ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA,

სასურველი
LAL02VA470K

LAL02VA470K

ნაწილი საფონდო: 4440

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,

სასურველი
LAL02VAR27K

LAL02VAR27K

ნაწილი საფონდო: 4444

ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA,

სასურველი
LAL02TBR47K

LAL02TBR47K

ნაწილი საფონდო: 9532

ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA,

სასურველი
NP04SZB220M

NP04SZB220M

ნაწილი საფონდო: 4266

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 770mA, მიმდინარე - სატურაცია: 770mA,

სასურველი
LAL02NAR56K

LAL02NAR56K

ნაწილი საფონდო: 4330

ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,

სასურველი
LAL02TB680K

LAL02TB680K

ნაწილი საფონდო: 4349

ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 64mA,

სასურველი
LAL02VA100K

LAL02VA100K

ნაწილი საფონდო: 4397

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
LAL02TBR22K

LAL02TBR22K

ნაწილი საფონდო: 4377

ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
LAL02VD181K

LAL02VD181K

ნაწილი საფონდო: 4439

ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 37mA,

სასურველი
LAL02NA330K

LAL02NA330K

ნაწილი საფონდო: 4357

ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 76mA,

სასურველი
LAL02VA270K

LAL02VA270K

ნაწილი საფონდო: 4421

ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,

სასურველი
LAL02VD220K

LAL02VD220K

ნაწილი საფონდო: 4418

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA,

სასურველი
NR6012T470M

NR6012T470M

ნაწილი საფონდო: 4220

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 460mA, მიმდინარე - სატურაცია: 520mA,

სასურველი