ფიქსირებული ინდუქტორები

LAL02TB3R9K

LAL02TB3R9K

ნაწილი საფონდო: 4383

ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
LAL02VAR82K

LAL02VAR82K

ნაწილი საფონდო: 9456

ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,

სასურველი
LAL02TB121K

LAL02TB121K

ნაწილი საფონდო: 4347

ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 42mA,

სასურველი
NR6012T6R8M

NR6012T6R8M

ნაწილი საფონდო: 4229

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.35A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,

სასურველი
LAL02NA2R7K

LAL02NA2R7K

ნაწილი საფონდო: 4409

ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,

სასურველი
LAL02TB1R2K

LAL02TB1R2K

ნაწილი საფონდო: 4423

ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,

სასურველი
LAL02NA1R0K

LAL02NA1R0K

ნაწილი საფონდო: 4376

ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 270mA,

სასურველი
LAL02VAR56K

LAL02VAR56K

ნაწილი საფონდო: 4381

ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,

სასურველი
LAL02TB470K

LAL02TB470K

ნაწილი საფონდო: 4363

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,

სასურველი
LAL02NA8R2K

LAL02NA8R2K

ნაწილი საფონდო: 4340

ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 165mA,

სასურველი
LAL02VA121K

LAL02VA121K

ნაწილი საფონდო: 4389

ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 42mA,

სასურველი
LAL02NA5R6K

LAL02NA5R6K

ნაწილი საფონდო: 4336

ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
LAL02TBR33K

LAL02TBR33K

ნაწილი საფონდო: 4341

ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 370mA,

სასურველი
LAL02TBR39K

LAL02TBR39K

ნაწილი საფონდო: 4395

ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,

სასურველი
LAL02TB100K

LAL02TB100K

ნაწილი საფონდო: 4390

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
LAL02TB221K

LAL02TB221K

ნაწილი საფონდო: 4338

ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 35mA,

სასურველი
LAL02TB3R3K

LAL02TB3R3K

ნაწილი საფონდო: 4353

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA,

სასურველი
LAL02VA1R5K

LAL02VA1R5K

ნაწილი საფონდო: 9957

ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
LAL02NA121K

LAL02NA121K

ნაწილი საფონდო: 9470

ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 42mA,

სასურველი
LAL02VAR39K

LAL02VAR39K

ნაწილი საფონდო: 4450

ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,

სასურველი
LAL02TB560K

LAL02TB560K

ნაწილი საფონდო: 4430

ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 68mA,

სასურველი
LAL02NA180K

LAL02NA180K

ნაწილი საფონდო: 4372

ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
LAL02VA181K

LAL02VA181K

ნაწილი საფონდო: 4441

ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 37mA,

სასურველი
LAL02TBR27K

LAL02TBR27K

ნაწილი საფონდო: 4411

ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA,

სასურველი
LAL02TB1R5K

LAL02TB1R5K

ნაწილი საფონდო: 9440

ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
LAL02VA1R8K

LAL02VA1R8K

ნაწილი საფონდო: 4410

ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
LAL02VD221K

LAL02VD221K

ნაწილი საფონდო: 4367

ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 35mA,

სასურველი
LAL02NA101K

LAL02NA101K

ნაწილი საფონდო: 4350

ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 44mA,

სასურველი
LAL02VA150K

LAL02VA150K

ნაწილი საფონდო: 4365

ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 145mA,

სასურველი
LAL02VAR68K

LAL02VAR68K

ნაწილი საფონდო: 4361

ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 310mA,

სასურველი
CAL45VB4R7K

CAL45VB4R7K

ნაწილი საფონდო: 183098

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.8A,

სასურველი
CAL45TB100K

CAL45TB100K

ნაწილი საფონდო: 183114

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.7A,

სასურველი
CAL45TB4R7K

CAL45TB4R7K

ნაწილი საფონდო: 183103

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.8A,

სასურველი
CAL45TB102K

CAL45TB102K

ნაწილი საფონდო: 183069

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 190mA,

სასურველი
CAL45TB103K

CAL45TB103K

ნაწილი საფონდო: 183134

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 45mA, მიმდინარე - სატურაცია: 65mA,

სასურველი
MDKK3030T1R0MM

MDKK3030T1R0MM

ნაწილი საფონდო: 123858

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.4A,

სასურველი