ფიქსირებული ინდუქტორები

LAL04KBR82M

LAL04KBR82M

ნაწილი საფონდო: 4554

ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 980mA,

სასურველი
LAV35VB561J

LAV35VB561J

ნაწილი საფონდო: 4762

ინდუქცია: 560µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 75mA,

სასურველი
LAN02KR220J

LAN02KR220J

ნაწილი საფონდო: 4656

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 235mA,

სასურველი
LAN02TAR12K

LAN02TAR12K

ნაწილი საფონდო: 4734

ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA,

სასურველი
LAP02KR121K

LAP02KR121K

ნაწილი საფონდო: 4720

ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 42mA,

სასურველი
LHLC06TB150K

LHLC06TB150K

ნაწილი საფონდო: 4953

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
LHL06NB182J

LHL06NB182J

ნაწილი საფონდო: 4875

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.8mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 51mA,

სასურველი
LAN02TAR39K

LAN02TAR39K

ნაწილი საფონდო: 9527

ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 640mA,

სასურველი
LAL02VD820K

LAL02VD820K

ნაწილი საფონდო: 4381

ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 46mA,

სასურველი
LHLC06NB100K

LHLC06NB100K

ნაწილი საფონდო: 4902

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი
LAL03TBR47M

LAL03TBR47M

ნაწილი საფონდო: 4501

ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA,

სასურველი
LAL04KB101K

LAL04KB101K

ნაწილი საფონდო: 4587

ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 275mA,

სასურველი
LAP02KR2R7K

LAP02KR2R7K

ნაწილი საფონდო: 4691

ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,

სასურველი
LEMF2520T4R7M

LEMF2520T4R7M

ნაწილი საფონდო: 4779

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA,

სასურველი
LAL04SK1R0M

LAL04SK1R0M

ნაწილი საფონდო: 4635

ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 920mA,

სასურველი
LHF15BB820K

LHF15BB820K

ნაწილი საფონდო: 4837

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.2A,

სასურველი
LAV35VB221J

LAV35VB221J

ნაწილი საფონდო: 4731

ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,

სასურველი
LAL02VD560K

LAL02VD560K

ნაწილი საფონდო: 9445

ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 68mA,

სასურველი
LAL03TB271K

LAL03TB271K

ნაწილი საფონდო: 4516

ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 65mA,

სასურველი
LAL03KHR47M

LAL03KHR47M

ნაწილი საფონდო: 4478

ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA,

სასურველი
LAV35VBR47M

LAV35VBR47M

ნაწილი საფონდო: 4799

ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 910mA,

სასურველი
LAN02KR5R6J

LAN02KR5R6J

ნაწილი საფონდო: 4706

ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,

სასურველი
LAN02TAR15K

LAN02TAR15K

ნაწილი საფონდო: 4694

ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
LAL04TB471K

LAL04TB471K

ნაწილი საფონდო: 4686

ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 126mA,

სასურველი
LEM2520T470J

LEM2520T470J

ნაწილი საფონდო: 4777

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,

სასურველი
LAP02TA330K

LAP02TA330K

ნაწილი საფონდო: 4757

ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 76mA,

სასურველი
LAL04KB102K

LAL04KB102K

ნაწილი საფონდო: 4625

ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,

სასურველი
LAL03TA270K

LAL03TA270K

ნაწილი საფონდო: 4426

ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 125mA,

სასურველი
LAL03KH5R6K

LAL03KH5R6K

ნაწილი საფონდო: 4463

ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
LAV35VBR82M

LAV35VBR82M

ნაწილი საფონდო: 4786

ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 820mA,

სასურველი
LHL06NB471K

LHL06NB471K

ნაწილი საფონდო: 4828

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,

სასურველი
LEMC2520T330K

LEMC2520T330K

ნაწილი საფონდო: 4806

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,

სასურველი
LAL04NA470K

LAL04NA470K

ნაწილი საფონდო: 4590

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 340mA,

სასურველი
LHLC06TB820K

LHLC06TB820K

ნაწილი საფონდო: 4904

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 480mA,

სასურველი
LAL04TB271K

LAL04TB271K

ნაწილი საფონდო: 4651

ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 145mA,

სასურველი
LAP02KRR22K

LAP02KRR22K

ნაწილი საფონდო: 9558

ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი