ფიქსირებული ინდუქტორები

LAP02TA1R0K

LAP02TA1R0K

ნაწილი საფონდო: 4692

ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 270mA,

სასურველი
LAP02KR101K

LAP02KR101K

ნაწილი საფონდო: 4719

ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 44mA,

სასურველი
LAL03NA680K

LAL03NA680K

ნაწილი საფონდო: 9459

ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,

სასურველი
LAN02KR2R7J

LAN02KR2R7J

ნაწილი საფონდო: 4710

ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 390mA,

სასურველი
LAV35VB101J

LAV35VB101J

ნაწილი საფონდო: 4745

ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
LAL03VB221K

LAL03VB221K

ნაწილი საფონდო: 4531

ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 75mA,

სასურველი
LAL04NAR82M

LAL04NAR82M

ნაწილი საფონდო: 4673

ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 980mA,

სასურველი
LHL06NB271K

LHL06NB271K

ნაწილი საფონდო: 4865

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA,

სასურველი
LAL03NA150K

LAL03NA150K

ნაწილი საფონდო: 4400

ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 145mA,

სასურველი
LAL03KH180K

LAL03KH180K

ნაწილი საფონდო: 4444

ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
LEM2520TR56K

LEM2520TR56K

ნაწილი საფონდო: 4827

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 325mA,

სასურველი
LAL04KB680K

LAL04KB680K

ნაწილი საფონდო: 4548

ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 305mA,

სასურველი
LHLC06NB180K

LHLC06NB180K

ნაწილი საფონდო: 9576

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 950mA,

სასურველი
LAL03NAR33M

LAL03NAR33M

ნაწილი საფონდო: 4451

ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 370mA,

სასურველი
LAL03TBR56M

LAL03TBR56M

ნაწილი საფონდო: 4530

ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,

სასურველი
LAL04KB4R7K

LAL04KB4R7K

ნაწილი საფონდო: 4635

ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 620mA,

სასურველი
LAL04TB180K

LAL04TB180K

ნაწილი საფონდო: 4606

ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA,

სასურველი
LHF15BB181K

LHF15BB181K

ნაწილი საფონდო: 4800

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.3A,

სასურველი
LAP02KR220K

LAP02KR220K

ნაწილი საფონდო: 9543

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA,

სასურველი
LHL06NB180K

LHL06NB180K

ნაწილი საფონდო: 4816

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA,

სასურველი
LAV35VB2R7K

LAV35VB2R7K

ნაწილი საფონდო: 9514

ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 640mA,

სასურველი
LEMC2520T3R3M

LEMC2520T3R3M

ნაწილი საფონდო: 4781

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 340mA,

სასურველი
LAP02TA101K

LAP02TA101K

ნაწილი საფონდო: 4730

ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 44mA,

სასურველი
LAL04KB3R3K

LAL04KB3R3K

ნაწილი საფონდო: 4630

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 670mA,

სასურველი
LHLC06TB680K

LHLC06TB680K

ნაწილი საფონდო: 4939

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 530mA,

სასურველი
LAL04TBR33M

LAL04TBR33M

ნაწილი საფონდო: 4720

ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.28A,

სასურველი
LBH1608T18NJ

LBH1608T18NJ

ნაწილი საფონდო: 4750

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
LAL04TB181K

LAL04TB181K

ნაწილი საფონდო: 4665

ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 165mA,

სასურველი
LAN02TA3R9J

LAN02TA3R9J

ნაწილი საფონდო: 4657

ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA,

სასურველი
LAL03NA5R6K

LAL03NA5R6K

ნაწილი საფონდო: 4462

ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
LEM2520T1R5J

LEM2520T1R5J

ნაწილი საფონდო: 4788

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,

სასურველი
LHF15BB102J

LHF15BB102J

ნაწილი საფონდო: 4825

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 950mA,

სასურველი
LAP02KR680K

LAP02KR680K

ნაწილი საფონდო: 4674

ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 64mA,

სასურველი
LAN02TA331J

LAN02TA331J

ნაწილი საფონდო: 4686

ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 66mA,

სასურველი
LHL16NB331K

LHL16NB331K

ნაწილი საფონდო: 4876

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
LHL06TB270K

LHL06TB270K

ნაწილი საფონდო: 4861

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,

სასურველი