ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.5A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 6A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.8A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 240nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6A, მიმდინარე - სატურაცია: 7A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5A, მიმდინარე - სატურაცია: 7.3A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.3A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.5A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.7A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.5A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 240nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6A, მიმდინარე - სატურაცია: 8.5A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.8A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.1A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.2A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.8A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 240nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.3A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.9A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.1A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.2A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 950mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 950mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 620mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
