ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.7nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 0.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.9nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 7.5nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 5.1nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 180nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.8nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 5.1nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 7.5nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
