ფიქსირებული ინდუქტორები

CIH02T2N7BNC

CIH02T2N7BNC

ნაწილი საფონდო: 141297

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIG21C4R7MNE

CIG21C4R7MNE

ნაწილი საფონდო: 116018

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA,

სასურველი
CIH02T5N6SNC

CIH02T5N6SNC

ნაწილი საფონდო: 177525

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
CIH02T3N5BNC

CIH02T3N5BNC

ნაწილი საფონდო: 174828

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
CIH02T3N0SNC

CIH02T3N0SNC

ნაწილი საფონდო: 145544

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH02T1N9CNC

CIH02T1N9CNC

ნაწილი საფონდო: 148561

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.9nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH02T2N0BNC

CIH02T2N0BNC

ნაწილი საფონდო: 154333

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH10T15NJNC

CIH10T15NJNC

ნაწილი საფონდო: 102568

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
CIH02T1N2SNC

CIH02T1N2SNC

ნაწილი საფონდო: 115408

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
CIH10T12NJNC

CIH10T12NJNC

ნაწილი საფონდო: 104546

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
CIH02T4N3JNC

CIH02T4N3JNC

ნაწილი საფონდო: 194786

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
CIH02T3N7SNC

CIH02T3N7SNC

ნაწილი საფონდო: 119757

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
CIH02T2N6CNC

CIH02T2N6CNC

ნაწილი საფონდო: 172280

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH02T1N2BNC

CIH02T1N2BNC

ნაწილი საფონდო: 163866

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
CIH02T3N7CNC

CIH02T3N7CNC

ნაწილი საფონდო: 186430

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.7nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
CIH02T0N8BNC

CIH02T0N8BNC

ნაწილი საფონდო: 127497

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 0.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,

სასურველი
CIH10T3N3SNC

CIH10T3N3SNC

ნაწილი საფონდო: 102308

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
CIH02T1N1BNC

CIH02T1N1BNC

ნაწილი საფონდო: 158279

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
CIH02T1N6BNC

CIH02T1N6BNC

ნაწილი საფონდო: 180152

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,

სასურველი
CIH02T3N8BNC

CIH02T3N8BNC

ნაწილი საფონდო: 156729

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
CIH02T5N6JNC

CIH02T5N6JNC

ნაწილი საფონდო: 104323

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
CIH02T1N9BNC

CIH02T1N9BNC

ნაწილი საფონდო: 186615

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH02T1N1CNC

CIH02T1N1CNC

ნაწილი საფონდო: 137462

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.1nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
CIH02T5N6HNC

CIH02T5N6HNC

ნაწილი საფონდო: 129621

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
CIH02T4N0SNC

CIH02T4N0SNC

ნაწილი საფონდო: 192634

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 4nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
CIH10T47NJNC

CIH10T47NJNC

ნაწილი საფონდო: 117687

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
CIH10T27NJNC

CIH10T27NJNC

ნაწილი საფონდო: 184737

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
CIH02T4N7SNC

CIH02T4N7SNC

ნაწილი საფონდო: 163269

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
CIH02T1N6CNC

CIH02T1N6CNC

ნაწილი საფონდო: 152024

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,

სასურველი
CIH02T2N5CNC

CIH02T2N5CNC

ნაწილი საფონდო: 186050

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH02T3N4CNC

CIH02T3N4CNC

ნაწილი საფონდო: 152532

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.4nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
CIH02T10NJNC

CIH02T10NJNC

ნაწილი საფონდო: 134734

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
CIH02T1N9SNC

CIH02T1N9SNC

ნაწილი საფონდო: 163915

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.9nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH02T4N7HNC

CIH02T4N7HNC

ნაწილი საფონდო: 175127

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
CIH02T2N6SNC

CIH02T2N6SNC

ნაწილი საფონდო: 137654

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH02T2N8BNC

CIH02T2N8BNC

ნაწილი საფონდო: 169601

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი