ფიქსირებული ინდუქტორები

CIH02T3N9SNC

CIH02T3N9SNC

ნაწილი საფონდო: 164505

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
CIH02T1N4SNC

CIH02T1N4SNC

ნაწილი საფონდო: 101144

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.4nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
CIH02T1N4BNC

CIH02T1N4BNC

ნაწილი საფონდო: 154671

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
CIH02T2N3CNC

CIH02T2N3CNC

ნაწილი საფონდო: 119570

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH02T1N1SNC

CIH02T1N1SNC

ნაწილი საფონდო: 188266

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
CIH02T2N7SNC

CIH02T2N7SNC

ნაწილი საფონდო: 103962

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH10T39NJNC

CIH10T39NJNC

ნაწილი საფონდო: 192545

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
CIH10T1N0SNC

CIH10T1N0SNC

ნაწილი საფონდო: 147057

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
CIH02T1N0SNC

CIH02T1N0SNC

ნაწილი საფონდო: 146679

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
CIH02T1N8CNC

CIH02T1N8CNC

ნაწილი საფონდო: 134776

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH02T3N8SNC

CIH02T3N8SNC

ნაწილი საფონდო: 168056

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.8nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
CIH02T0N7CNC

CIH02T0N7CNC

ნაწილი საფონდო: 109359

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 0.7nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,

სასურველი
CIH02T3N3SNC

CIH02T3N3SNC

ნაწილი საფონდო: 194358

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
CIH10T2N7SNC

CIH10T2N7SNC

ნაწილი საფონდო: 145192

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
CIH02T3N0BNC

CIH02T3N0BNC

ნაწილი საფონდო: 161165

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH02T4N3SNC

CIH02T4N3SNC

ნაწილი საფონდო: 146882

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
CIH02T1N0BNC

CIH02T1N0BNC

ნაწილი საფონდო: 104234

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
CIH02T3N0CNC

CIH02T3N0CNC

ნაწილი საფონდო: 179551

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH02T2N2BNC

CIH02T2N2BNC

ნაწილი საფონდო: 162024

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH10TR12JNC

CIH10TR12JNC

ნაწილი საფონდო: 197402

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
CIH02T1N3CNC

CIH02T1N3CNC

ნაწილი საფონდო: 191774

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
CIH02T1N3BNC

CIH02T1N3BNC

ნაწილი საფონდო: 119687

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
CIH02T1N5BNC

CIH02T1N5BNC

ნაწილი საფონდო: 148992

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,

სასურველი
CIH10TR22JNC

CIH10TR22JNC

ნაწილი საფონდო: 172110

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH02T2N7CNC

CIH02T2N7CNC

ნაწილი საფონდო: 120438

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH10T82NJNC

CIH10T82NJNC

ნაწილი საფონდო: 100838

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,

სასურველი
CIH02T10NHNC

CIH02T10NHNC

ნაწილი საფონდო: 168721

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
CIH02T3N4SNC

CIH02T3N4SNC

ნაწილი საფონდო: 180051

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.4nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
CIH10T1N5SNC

CIH10T1N5SNC

ნაწილი საფონდო: 117292

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
CIH02T3N4BNC

CIH02T3N4BNC

ნაწილი საფონდო: 179709

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
CIH02T0N2CNC

CIH02T0N2CNC

ნაწილი საფონდო: 131598

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 0.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,

სასურველი
CIH02T1N7BNC

CIH02T1N7BNC

ნაწილი საფონდო: 173848

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH02T3N2SNC

CIH02T3N2SNC

ნაწილი საფონდო: 161281

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH02T3N1SNC

CIH02T3N1SNC

ნაწილი საფონდო: 171975

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH02T0N6CNC

CIH02T0N6CNC

ნაწილი საფონდო: 157171

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 0.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,

სასურველი
CIH02T1N2CNC

CIH02T1N2CNC

ნაწილი საფონდო: 147271

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი