ფიქსირებული ინდუქტორები

CIH02T8N2JNC

CIH02T8N2JNC

ნაწილი საფონდო: 102643

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
CIH02T1N6SNC

CIH02T1N6SNC

ნაწილი საფონდო: 196544

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,

სასურველი
CIH10TR27JNC

CIH10TR27JNC

ნაწილი საფონდო: 173060

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH02T1N8SNC

CIH02T1N8SNC

ნაწილი საფონდო: 126213

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH02T2N4CNC

CIH02T2N4CNC

ნაწილი საფონდო: 112868

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.4nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH10T68NJNC

CIH10T68NJNC

ნაწილი საფონდო: 141679

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,

სასურველი
CIH10T33NJNC

CIH10T33NJNC

ნაწილი საფონდო: 121794

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
CIH02T2N9BNC

CIH02T2N9BNC

ნაწილი საფონდო: 143035

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH02T1N0CNC

CIH02T1N0CNC

ნაწილი საფონდო: 172070

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
CIH02T18NHNC

CIH02T18NHNC

ნაწილი საფონდო: 137787

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
CIH02T1N5SNC

CIH02T1N5SNC

ნაწილი საფონდო: 162689

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,

სასურველი
CIH02T9N1JNC

CIH02T9N1JNC

ნაწილი საფონდო: 127081

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 9.1nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
CIH02T5N1SNC

CIH02T5N1SNC

ნაწილი საფონდო: 149428

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 5.1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
CIH02T2N9SNC

CIH02T2N9SNC

ნაწილი საფონდო: 113789

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.9nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH10T10NJNC

CIH10T10NJNC

ნაწილი საფონდო: 135348

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
CIH02T2N3BNC

CIH02T2N3BNC

ნაწილი საფონდო: 136858

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH02T2N1CNC

CIH02T2N1CNC

ნაწილი საფონდო: 149722

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.1nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH02T0N9CNC

CIH02T0N9CNC

ნაწილი საფონდო: 108570

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 0.9nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,

სასურველი
CIH02T4N0CNC

CIH02T4N0CNC

ნაწილი საფონდო: 184849

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 4nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
CIH02T1N5CNC

CIH02T1N5CNC

ნაწილი საფონდო: 192659

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,

სასურველი
CIH10T1N8SNC

CIH10T1N8SNC

ნაწილი საფონდო: 141547

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
CIH02T4N3HNC

CIH02T4N3HNC

ნაწილი საფონდო: 189656

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
CIH02T2N0CNC

CIH02T2N0CNC

ნაწილი საფონდო: 114454

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH10TR10JNC

CIH10TR10JNC

ნაწილი საფონდო: 104323

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,

სასურველი
CIH02T2N0SNC

CIH02T2N0SNC

ნაწილი საფონდო: 145797

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH02T18NJNC

CIH02T18NJNC

ნაწილი საფონდო: 121569

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
CIH02T6N8JNC

CIH02T6N8JNC

ნაწილი საფონდო: 122285

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
CIH10TR15JNC

CIH10TR15JNC

ნაწილი საფონდო: 101750

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
CIH02T3N9CNC

CIH02T3N9CNC

ნაწილი საფონდო: 188412

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
CIH10T18NJNC

CIH10T18NJNC

ნაწილი საფონდო: 183077

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
CIH02T1N8BNC

CIH02T1N8BNC

ნაწილი საფონდო: 147721

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH02T6N2SNC

CIH02T6N2SNC

ნაწილი საფონდო: 100287

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 6.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
CIH02T3N1CNC

CIH02T3N1CNC

ნაწილი საფონდო: 146329

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.1nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CIH02T3N6SNC

CIH02T3N6SNC

ნაწილი საფონდო: 111259

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
CIH02T3N7BNC

CIH02T3N7BNC

ნაწილი საფონდო: 158881

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
CIH02T4N7JNC

CIH02T4N7JNC

ნაწილი საფონდო: 144243

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი