მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 15mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 270mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 9.1nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 410mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 310mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 420mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 5.1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 6.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 440mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.4nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 440mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 0.9nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 270mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 90mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
