ფიქსირებული ინდუქტორები

CIGW201610GH4R7MLE

CIGW201610GH4R7MLE

ნაწილი საფონდო: 194227

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 2A,

სასურველი
CIGT201610UH2R2SNE

CIGT201610UH2R2SNE

ნაწილი საფონდო: 142752

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±0.3nH,

სასურველი
CIG22HR47MAE

CIG22HR47MAE

ნაწილი საფონდო: 173664

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.8A,

სასურველი
CIGT252010EH2R2MNE

CIGT252010EH2R2MNE

ნაწილი საფონდო: 186049

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.7A,

სასურველი
CIGT201210UHR47MNE

CIGT201210UHR47MNE

ნაწილი საფონდო: 105908

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.4A,

სასურველი
CIG22H1R0MAE

CIG22H1R0MAE

ნაწილი საფონდო: 146196

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 2A,

სასურველი
CIGT201210UHR24MNE

CIGT201210UHR24MNE

ნაწილი საფონდო: 112777

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 240nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 6.6A,

სასურველი
CIGT201608EM2R2MNE

CIGT201608EM2R2MNE

ნაწილი საფონდო: 122927

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.9A,

სასურველი
CIGT201608EM1R5SNE

CIGT201608EM1R5SNE

ნაწილი საფონდო: 195266

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±0.3nH,

სასურველი
CIGT201610UM1R0MNE

CIGT201610UM1R0MNE

ნაწილი საფონდო: 130711

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.1A,

სასურველი
CIG22B3R3MNE

CIG22B3R3MNE

ნაწილი საფონდო: 117387

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.05A, მიმდინარე - სატურაცია: 960mA,

სასურველი
CIGT201610UM2R2MNE

CIGT201610UM2R2MNE

ნაწილი საფონდო: 110572

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,

სასურველი
CIG22H2R2MAE

CIG22H2R2MAE

ნაწილი საფონდო: 180459

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,

სასურველი
CIGT201210UHR33MNE

CIGT201210UHR33MNE

ნაწილი საფონდო: 138964

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.4A,

სასურველი
CIGT201610UMR24MNE

CIGT201610UMR24MNE

ნაწილი საფონდო: 118011

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 240nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.1A,

სასურველი
CIGT201608UMR24MNE

CIGT201608UMR24MNE

ნაწილი საფონდო: 178243

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 240nH, ტოლერანტობა: ±20%,

სასურველი
CIGT201610UMR68MNE

CIGT201610UMR68MNE

ნაწილი საფონდო: 189344

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.7A,

სასურველი
CIGT201608UMR47MNE

CIGT201608UMR47MNE

ნაწილი საფონდო: 148812

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%,

სასურველი
CIGW252012GM2R2MNE

CIGW252012GM2R2MNE

ნაწილი საფონდო: 111566

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%,

სასურველი
CIGT201610UMR47MNE

CIGT201610UMR47MNE

ნაწილი საფონდო: 134417

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.5A,

სასურველი
CIGT201610UM1R5MNE

CIGT201610UM1R5MNE

ნაწილი საფონდო: 135763

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.3A,

სასურველი
CIGW252012GM6R8MNE

CIGW252012GM6R8MNE

ნაწილი საფონდო: 145663

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,

სასურველი
CIGT201610UL2R2MNE

CIGT201610UL2R2MNE

ნაწილი საფონდო: 141704

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.4A,

სასურველი
CIGW252012GM1R0SLE

CIGW252012GM1R0SLE

ნაწილი საფონდო: 156921

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±0.3nH,

სასურველი
CIGT201608EM1R0SNE

CIGT201608EM1R0SNE

ნაწილი საფონდო: 105165

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±0.3nH,

სასურველი
CIGT201608EM1R5MNE

CIGT201608EM1R5MNE

ნაწილი საფონდო: 124324

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.1A,

სასურველი
CIGT201610UH2R2MUE

CIGT201610UH2R2MUE

ნაწილი საფონდო: 193899

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.6A,

სასურველი
CIGW252012GL4R7MNE

CIGW252012GL4R7MNE

ნაწილი საფონდო: 103995

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%,

სასურველი
CIGT201210UMR47SNE

CIGT201210UMR47SNE

ნაწილი საფონდო: 182411

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH,

სასურველი
CIGT252010EH1R0MNE

CIGT252010EH1R0MNE

ნაწილი საფონდო: 174679

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 5A,

სასურველი
CIGW252012GM1R0MNE

CIGW252012GM1R0MNE

ნაწილი საფონდო: 133163

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%,

სასურველი
CIG22H1R2MAE

CIG22H1R2MAE

ნაწილი საფონდო: 138552

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,

სასურველი
CIGW252010GM1R0SNE

CIGW252010GM1R0SNE

ნაწილი საფონდო: 172474

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±0.3nH,

სასურველი
CIG22H1R5MAE

CIG22H1R5MAE

ნაწილი საფონდო: 105004

ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
CIGW201610GLR33MLE

CIGW201610GLR33MLE

ნაწილი საფონდო: 151255

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.2A,

სასურველი
CIGW201610GLR68MLE

CIGW201610GLR68MLE

ნაწილი საფონდო: 186550

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.6A,

სასურველი