მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 6A,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 15mA,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 30mA,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 3A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.9A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±25%, მიმდინარე რეიტინგი: 960mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.3A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.7A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.8A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6A, მიმდინარე - სატურაცია: 9.4A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA, მიმდინარე - სატურაცია: 600mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 4A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.4A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.7A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.1A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH,
