მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 35mA,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±10%,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 25mA,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 180nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 5mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 240nH, ტოლერანტობა: ±20%,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 500nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1mA,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 5mA,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 5mA,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 15mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.2A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.4A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.3A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 6.2A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.1A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.56A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.7A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.6A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.8A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.3A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 25mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
