ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

MCR10EZHJ185

MCR10EZHJ185

ნაწილი საფონდო: 2705

წინააღმდეგობა: 1.8 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF3000

MCR10EZHF3000

ნაწილი საფონდო: 4319

წინააღმდეგობა: 300 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF18R2

MCR10EZHF18R2

ნაწილი საფონდო: 2302

წინააღმდეგობა: 18.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ330

MCR10EZHJ330

ნაწილი საფონდო: 4325

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF33R2

MCR10EZHF33R2

ნაწილი საფონდო: 2418

წინააღმდეგობა: 33.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF57R6

MCR10EZHF57R6

ნაწილი საფონდო: 2559

წინააღმდეგობა: 57.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ243

MCR10EZHJ243

ნაწილი საფონდო: 2790

წინააღმდეგობა: 24 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF3902

MCR10EZHF3902

ნაწილი საფონდო: 2487

წინააღმდეგობა: 39 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1740

MCR10EZHF1740

ნაწილი საფონდო: 4321

წინააღმდეგობა: 174 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF6981

MCR10EZHF6981

ნაწილი საფონდო: 2571

წინააღმდეგობა: 6.98 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF3320

MCR10EZHF3320

ნაწილი საფონდო: 4256

წინააღმდეგობა: 332 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF5903

MCR10EZHF5903

ნაწილი საფონდო: 2619

წინააღმდეგობა: 590 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF10R5

MCR18EZHF10R5

ნაწილი საფონდო: 2838

წინააღმდეგობა: 10.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF2670

MCR10EZHF2670

ნაწილი საფონდო: 2390

წინააღმდეგობა: 267 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF4750

MCR10EZHF4750

ნაწილი საფონდო: 2589

წინააღმდეგობა: 475 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF5100

MCR10EZHF5100

ნაწილი საფონდო: 4258

წინააღმდეგობა: 510 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF3570

MCR10EZHF3570

ნაწილი საფონდო: 2449

წინააღმდეგობა: 357 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ750

MCR10EZHJ750

ნაწილი საფონდო: 2849

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1020

MCR18EZHF1020

ნაწილი საფონდო: 2882

წინააღმდეგობა: 102 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF2104

MCR10EZHF2104

ნაწილი საფონდო: 2371

წინააღმდეგობა: 2.1 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF9310

MCR10EZHF9310

ნაწილი საფონდო: 4276

წინააღმდეგობა: 931 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1650

MCR10EZHF1650

ნაწილი საფონდო: 2264

წინააღმდეგობა: 165 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF4992

MCR10EZHF4992

ნაწილი საფონდო: 2563

წინააღმდეგობა: 49.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF4223

MCR10EZHF4223

ნაწილი საფონდო: 2528

წინააღმდეგობა: 422 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF3240

MCR10EZHF3240

ნაწილი საფონდო: 2403

წინააღმდეგობა: 324 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF12R4

MCR18EZHF12R4

ნაწილი საფონდო: 2928

წინააღმდეგობა: 12.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF39R2

MCR10EZHF39R2

ნაწილი საფონდო: 2536

წინააღმდეგობა: 39.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF3743

MCR10EZHF3743

ნაწილი საფონდო: 2507

წინააღმდეგობა: 374 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF3600

MCR10EZHF3600

ნაწილი საფონდო: 2416

წინააღმდეგობა: 360 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF9531

MCR10EZHF9531

ნაწილი საფონდო: 2672

წინააღმდეგობა: 9.53 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ1R8

MCR10EZHJ1R8

ნაწილი საფონდო: 2702

წინააღმდეგობა: 1.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 150/ +850ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF2701

MCR10EZHF2701

ნაწილი საფონდო: 4271

წინააღმდეგობა: 2.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF7682

MCR10EZHF7682

ნაწილი საფონდო: 2651

წინააღმდეგობა: 76.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF6203

MCR10EZHF6203

ნაწილი საფონდო: 2607

წინააღმდეგობა: 620 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ913

MCR10EZHJ913

ნაწილი საფონდო: 2847

წინააღმდეგობა: 91 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1371

MCR18EZHF1371

ნაწილი საფონდო: 2958

წინააღმდეგობა: 1.37 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი