ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

MCR10EZHF30R1

MCR10EZHF30R1

ნაწილი საფონდო: 2400

წინააღმდეგობა: 30.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF2100

MCR10EZHF2100

ნაწილი საფონდო: 2365

წინააღმდეგობა: 210 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR03EZPJ8R2

MCR03EZPJ8R2

ნაწილი საფონდო: 2208

წინააღმდეგობა: 8.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF8871

MCR10EZHF8871

ნაწილი საფონდო: 2699

წინააღმდეგობა: 8.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1074

MCR18EZHF1074

ნაწილი საფონდო: 2876

წინააღმდეგობა: 1.07 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF4123

MCR10EZHF4123

ნაწილი საფონდო: 2553

წინააღმდეგობა: 412 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF5233

MCR10EZHF5233

ნაწილი საფონდო: 2605

წინააღმდეგობა: 523 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ2R4

MCR10EZHJ2R4

ნაწილი საფონდო: 2782

წინააღმდეგობა: 2.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ622

MCR10EZHJ622

ნაწილი საფონდო: 2827

წინააღმდეგობა: 6.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF6343

MCR10EZHF6343

ნაწილი საფონდო: 2629

წინააღმდეგობა: 634 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1783

MCR10EZHF1783

ნაწილი საფონდო: 2314

წინააღმდეგობა: 178 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF2050

MCR10EZHF2050

ნაწილი საფონდო: 2297

წინააღმდეგობა: 205 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF4302

MCR10EZHF4302

ნაწილი საფონდო: 2524

წინააღმდეგობა: 43 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF43R0

MCR10EZHF43R0

ნაწილი საფონდო: 2480

წინააღმდეგობა: 43 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF30R0

MCR10EZHF30R0

ნაწილი საფონდო: 2400

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ303

MCR10EZHJ303

ნაწილი საფონდო: 2746

წინააღმდეგობა: 30 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF9311

MCR10EZHF9311

ნაწილი საფონდო: 2657

წინააღმდეგობა: 9.31 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ820

MCR10EZHJ820

ნაწილი საფონდო: 2790

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1303

MCR10EZHF1303

ნაწილი საფონდო: 2245

წინააღმდეგობა: 130 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF24R3

MCR10EZHF24R3

ნაწილი საფონდო: 2423

წინააღმდეგობა: 24.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF2054

MCR10EZHF2054

ნაწილი საფონდო: 2361

წინააღმდეგობა: 2.05 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF4021

MCR10EZHF4021

ნაწილი საფონდო: 2476

წინააღმდეგობა: 4.02 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1274

MCR18EZHF1274

ნაწილი საფონდო: 2853

წინააღმდეგობა: 1.27 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF2493

MCR10EZHF2493

ნაწილი საფონდო: 2343

წინააღმდეგობა: 249 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1403

MCR10EZHF1403

ნაწილი საფონდო: 2299

წინააღმდეგობა: 140 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF2432

MCR10EZHF2432

ნაწილი საფონდო: 2344

წინააღმდეგობა: 24.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF2321

MCR10EZHF2321

ნაწილი საფონდო: 2405

წინააღმდეგობა: 2.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF2373

MCR10EZHF2373

ნაწილი საფონდო: 4264

წინააღმდეგობა: 237 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF3092

MCR10EZHF3092

ნაწილი საფონდო: 2461

წინააღმდეგობა: 30.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF6491

MCR10EZHF6491

ნაწილი საფონდო: 2632

წინააღმდეგობა: 6.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF6801

MCR10EZHF6801

ნაწილი საფონდო: 2649

წინააღმდეგობა: 6.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF9102

MCR10EZHF9102

ნაწილი საფონდო: 2723

წინააღმდეგობა: 91 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1203

MCR10EZHF1203

ნაწილი საფონდო: 2264

წინააღმდეგობა: 120 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF8660

MCR10EZHF8660

ნაწილი საფონდო: 2698

წინააღმდეგობა: 866 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1470

MCR10EZHF1470

ნაწილი საფონდო: 2281

წინააღმდეგობა: 147 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF5600

MCR10EZHF5600

ნაწილი საფონდო: 4316

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი