ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

MCR10EZHF10R5

MCR10EZHF10R5

ნაწილი საფონდო: 2250

წინააღმდეგობა: 10.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF6191

MCR10EZHF6191

ნაწილი საფონდო: 2595

წინააღმდეგობა: 6.19 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ7R5

MCR10EZHJ7R5

ნაწილი საფონდო: 2850

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF13R7

MCR10EZHF13R7

ნაწილი საფონდო: 2283

წინააღმდეგობა: 13.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHFL1R10

MCR10EZHFL1R10

ნაწილი საფონდო: 2360

წინააღმდეგობა: 1.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF3651

MCR10EZHF3651

ნაწილი საფონდო: 2452

წინააღმდეგობა: 3.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF13R0

MCR10EZHF13R0

ნაწილი საფონდო: 2276

წინააღმდეგობა: 13 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR03EZPJ825

MCR03EZPJ825

ნაწილი საფონდო: 2155

წინააღმდეგობა: 8.2 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1243

MCR18EZHF1243

ნაწილი საფონდო: 2873

წინააღმდეგობა: 124 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1202

MCR10EZHF1202

ნაწილი საფონდო: 2169

წინააღმდეგობა: 12 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ275

MCR10EZHJ275

ნაწილი საფონდო: 2767

წინააღმდეგობა: 2.7 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF2001

MCR10EZHF2001

ნაწილი საფონდო: 2312

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1333

MCR10EZHF1333

ნაწილი საფონდო: 2210

წინააღმდეგობა: 133 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF2941

MCR10EZHF2941

ნაწილი საფონდო: 2368

წინააღმდეგობა: 2.94 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1271

MCR18EZHF1271

ნაწილი საფონდო: 2856

წინააღმდეგობა: 1.27 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1021

MCR10EZHF1021

ნაწილი საფონდო: 2145

წინააღმდეგობა: 1.02 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF7150

MCR10EZHF7150

ნაწილი საფონდო: 2618

წინააღმდეგობა: 715 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF7323

MCR10EZHF7323

ნაწილი საფონდო: 2609

წინააღმდეგობა: 732 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1330

MCR18EZHF1330

ნაწილი საფონდო: 7436

წინააღმდეგობა: 133 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1962

MCR10EZHF1962

ნაწილი საფონდო: 2314

წინააღმდეგობა: 19.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ754

MCR10EZHJ754

ნაწილი საფონდო: 2807

წინააღმდეგობა: 750 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF9091

MCR10EZHF9091

ნაწილი საფონდო: 2695

წინააღმდეგობა: 9.09 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1151

MCR10EZHF1151

ნაწილი საფონდო: 2187

წინააღმდეგობა: 1.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF5361

MCR10EZHF5361

ნაწილი საფონდო: 2523

წინააღმდეგობა: 5.36 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF8872

MCR10EZHF8872

ნაწილი საფონდო: 2716

წინააღმდეგობა: 88.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR03EZPJ822

MCR03EZPJ822

ნაწილი საფონდო: 2153

წინააღმდეგობა: 8.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF2212

MCR10EZHF2212

ნაწილი საფონდო: 2350

წინააღმდეგობა: 22.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF6813

MCR10EZHF6813

ნაწილი საფონდო: 2633

წინააღმდეგობა: 681 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF3573

MCR10EZHF3573

ნაწილი საფონდო: 2492

წინააღმდეგობა: 357 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF5490

MCR10EZHF5490

ნაწილი საფონდო: 2551

წინააღმდეგობა: 549 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1541

MCR10EZHF1541

ნაწილი საფონდო: 2304

წინააღმდეგობა: 1.54 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF4751

MCR10EZHF4751

ნაწილი საფონდო: 2576

წინააღმდეგობა: 4.75 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF2101

MCR10EZHF2101

ნაწილი საფონდო: 2388

წინააღმდეგობა: 2.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF16R2

MCR10EZHF16R2

ნაწილი საფონდო: 4230

წინააღმდეგობა: 16.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF7873

MCR10EZHF7873

ნაწილი საფონდო: 4308

წინააღმდეგობა: 787 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF29R4

MCR10EZHF29R4

ნაწილი საფონდო: 2381

წინააღმდეგობა: 29.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი