ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

MCR10EZHJ625

MCR10EZHJ625

ნაწილი საფონდო: 2778

წინააღმდეგობა: 6.2 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ9R1

MCR10EZHJ9R1

ნაწილი საფონდო: 2848

წინააღმდეგობა: 9.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF8452

MCR10EZHF8452

ნაწილი საფონდო: 2703

წინააღმდეგობა: 84.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF8451

MCR10EZHF8451

ნაწილი საფონდო: 2669

წინააღმდეგობა: 8.45 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ333

MCR10EZHJ333

ნაწილი საფონდო: 2731

წინააღმდეგობა: 33 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF5603

MCR10EZHF5603

ნაწილი საფონდო: 2572

წინააღმდეგობა: 560 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHFL7R50

MCR10EZHFL7R50

ნაწილი საფონდო: 2633

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF2003

MCR10EZHF2003

ნაწილი საფონდო: 2325

წინააღმდეგობა: 200 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1333

MCR18EZHF1333

ნაწილი საფონდო: 2894

წინააღმდეგობა: 133 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHFL6R20

MCR10EZHFL6R20

ნაწილი საფონდო: 2626

წინააღმდეგობა: 6.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF97R6

MCR10EZHF97R6

ნაწილი საფონდო: 2707

წინააღმდეგობა: 97.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF44R2

MCR10EZHF44R2

ნაწილი საფონდო: 2506

წინააღმდეგობა: 44.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF8201

MCR10EZHF8201

ნაწილი საფონდო: 2672

წინააღმდეგობა: 8.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF5231

MCR10EZHF5231

ნაწილი საფონდო: 2602

წინააღმდეგობა: 5.23 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1274

MCR10EZHF1274

ნაწილი საფონდო: 2220

წინააღმდეგობა: 1.27 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF3922

MCR10EZHF3922

ნაწილი საფონდო: 7426

წინააღმდეგობა: 39.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF33R0

MCR10EZHF33R0

ნაწილი საფონდო: 4260

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF8063

MCR10EZHF8063

ნაწილი საფონდო: 2678

წინააღმდეგობა: 806 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF8200

MCR10EZHF8200

ნაწილი საფონდო: 2692

წინააღმდეგობა: 820 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1020

MCR10EZHF1020

ნაწილი საფონდო: 2175

წინააღმდეგობა: 102 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1540

MCR10EZHF1540

ნაწილი საფონდო: 2243

წინააღმდეგობა: 154 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1242

MCR10EZHF1242

ნაწილი საფონდო: 2267

წინააღმდეგობა: 12.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF4640

MCR10EZHF4640

ნაწილი საფონდო: 2503

წინააღმდეგობა: 464 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ2R2

MCR10EZHJ2R2

ნაწილი საფონდო: 2796

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1544

MCR10EZHF1544

ნაწილი საფონდო: 2308

წინააღმდეგობა: 1.54 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF11R8

MCR18EZHF11R8

ნაწილი საფონდო: 2909

წინააღმდეგობა: 11.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ1R3

MCR10EZHJ1R3

ნაწილი საფონდო: 2755

წინააღმდეგობა: 1.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 150/ +850ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1334

MCR18EZHF1334

ნაწილი საფონდო: 2917

წინააღმდეგობა: 1.33 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1542

MCR10EZHF1542

ნაწილი საფონდო: 2275

წინააღმდეგობა: 15.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF6040

MCR10EZHF6040

ნაწილი საფონდო: 2635

წინააღმდეგობა: 604 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF3831

MCR10EZHF3831

ნაწილი საფონდო: 2493

წინააღმდეგობა: 3.83 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF4321

MCR10EZHF4321

ნაწილი საფონდო: 2484

წინააღმდეგობა: 4.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1051

MCR18EZHF1051

ნაწილი საფონდო: 2834

წინააღმდეგობა: 1.05 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF20R5

MCR10EZHF20R5

ნაწილი საფონდო: 2319

წინააღმდეგობა: 20.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1910

MCR10EZHF1910

ნაწილი საფონდო: 2369

წინააღმდეგობა: 191 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1871

MCR10EZHF1871

ნაწილი საფონდო: 2327

წინააღმდეგობა: 1.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი